本文選題：微波復(fù)合基板　切入點(diǎn)：二氧化硅/聚四氟乙烯(SiO/PTFE)　出處：《壓電與聲光》2017年01期

【摘要】：該文采用聚四氟乙烯(PTFE)樹脂為基體,熔融SiO_2作為填料,通過機(jī)械混合、壓延成型、熱壓燒結(jié)工藝制備出高頻高速電路用微波復(fù)合介質(zhì)基板,重點(diǎn)研究了采用不同干燥工藝對復(fù)合物結(jié)構(gòu)、微波介電性能的影響。實(shí)驗(yàn)表明,采用旋轉(zhuǎn)蒸干工藝對復(fù)合物進(jìn)行處理時(shí),可在較短的時(shí)間內(nèi)去除有機(jī)物質(zhì),并能使無機(jī)填料與聚合物分散均勻。經(jīng)熱壓燒結(jié)后,所得基板相對介電常數(shù)為2.92~2.94,損耗因子為1.3×10~(-3)。
[Abstract]:In this paper, high frequency and high speed microwave composite dielectric substrate for high frequency and high speed circuit was prepared by mechanical mixing, calendering forming and hot pressing sintering with PTFE resin as matrix and melt SiO_2 as filler.The effects of different drying processes on the structure and microwave dielectric properties of the composites were studied.The experimental results show that the organic matter can be removed in a short time and the inorganic filler and polymer can be evenly dispersed when the composite is treated by rotary drying process.After hot pressing and sintering, the relative dielectric constant and loss factor of the substrate are 2.92n 2.94 and 1.3 脳 10 ~ (-3) ~ (-1), respectively.
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所;
【分類號】：TB33

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本文編號：1701829