發(fā)布時間：2018-03-30 23:00

  本文選題：金屬輔助化學(xué)刻蝕　切入點：熱氧化　出處：《半導(dǎo)體光電》2017年04期

【摘要】：采用金屬輔助化學(xué)刻蝕方法結(jié)合納米球模板技術(shù)制備出了有序硅納米線陣列。硅納米線陣列經(jīng)過高溫?zé)嵫趸纬梢欢ê穸鹊难趸瘜?再使用稀釋的HF溶液去除表面氧化層得到可控直徑/周期比、低孔隙密度的有序納米線陣列。主要研究了氧化溫度、氧化時間對硅納米線形貌的影響,并根據(jù)擴展的Deal-Grove模型計算了硅納米線氧化層厚度與氧化時間的關(guān)系,討論了氧化過程中應(yīng)力分布的影響,理論計算結(jié)果與實驗結(jié)果一致。最后,采用兩步氧化的方法制備出了低直徑/周期比(約0.1)、低孔隙密度的有序硅納米線陣列。
[Abstract]:An ordered silicon nanowire array was fabricated by metal assisted chemical etching combined with nanospheres template technology.The silicon nanowire array was thermally oxidized at high temperature to form a certain thickness of oxide layer. Then the surface oxidation layer was removed by dilute HF solution to obtain an ordered nanowire array with controllable diameter / period ratio and low porosity.The effects of oxidation temperature and oxidation time on the morphology of silicon nanowires were studied. The relationship between oxide layer thickness and oxidation time was calculated according to the extended Deal-Grove model, and the influence of stress distribution during oxidation process was discussed.The theoretical results are in agreement with the experimental results.Finally, an ordered silicon nanowire array with low diameter / period ratio (about 0.1g) and low pore density was prepared by two-step oxidation.
【作者單位】： 中國科學(xué)院固體物理研究所材料物理重點實驗室;中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(51472247,51671182);國家自然科學(xué)基金聯(lián)合基金項目(U1632123)
【分類號】：O613.72;TB383.1

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本文編號：1688013