本文選題：真空熱蒸發(fā)　切入點(diǎn)：CdTe薄膜　出處：《材料熱處理學(xué)報(bào)》2017年03期

【摘要】：采用真空熱蒸發(fā)方法,以高純CdTe粉末為蒸發(fā)源,在石英和AZO玻璃上沉積了厚度約為485 nm的CdTe薄膜,隨后在N2氛圍中于250~400℃條件下進(jìn)行后退火處理。利用X射線衍射儀、拉曼光譜儀、分光光度計(jì)和數(shù)字源表測(cè)量了不同退火溫度條件下樣品的結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)特性。結(jié)果表明,所制備的薄膜為立方閃鋅礦結(jié)構(gòu),擇優(yōu)取向?yàn)?11晶向,提高退火溫度可以促進(jìn)薄膜結(jié)晶;光學(xué)測(cè)量結(jié)果證實(shí),隨退火溫度升高,薄膜樣品的光學(xué)帶隙由1.527 e V減小到1.496 e V;電流-電壓測(cè)試表明,薄膜電導(dǎo)率隨退火溫度的增加,由0.97μS/cm增大至87.3μS/cm。
[Abstract]:CdTe thin films with thickness of 485nm were deposited on quartz and AZO glass with high purity CdTe powder as evaporation source by vacuum thermal evaporation method, and then annealed in N _ 2 atmosphere at 250 ~ 400 鈩，

本文編號(hào)：1660979