摻硅a-C∶H材料光學(xué)性質(zhì)的分子動力學(xué)模擬
本文選題：分子動力學(xué)模擬 切入點(diǎn)：非晶碳?xì)?/strong> 出處：《材料科學(xué)與工程學(xué)報》2017年06期 論文類型：期刊論文
【摘要】：利用分子動力學(xué)方法,對摻Si的非晶碳?xì)洳牧系慕Y(jié)合鍵、C-sp3含量、電子結(jié)構(gòu)、光學(xué)性能等物理性質(zhì)進(jìn)行了理論模擬研究。研究結(jié)果表明,在Si摻雜量小于8%時,隨Si摻雜量的增加,Csp3含量,C-Si鍵數(shù)量均呈現(xiàn)增大的趨勢,而C-C鍵數(shù)量則有所降低。在光學(xué)特性上,在波長為400~800nm范圍內(nèi),其透過率在Si摻雜量為1.5%時達(dá)到最大值,然后,隨Si摻雜量增加其透過率先減小后增大,并在摻雜量為4.5%處達(dá)到一個透過率的極小值。此外,當(dāng)Si摻雜量為4.5%時,其反射率和吸收系數(shù)最大。
[Abstract]:By using molecular dynamics method, the physical properties of Si-doped amorphous carbon and hydrogen materials, such as the content of C-sp _ 3, electronic structure and optical properties, are studied theoretically. The results show that when the amount of Si doping is less than 8%, With the increase of Si doping content, the number of C-Si bond increases, while the number of C-C bond decreases. In optical properties, the transmittance reaches its maximum value when Si doping amount is 1.5 nm in the wavelength range of 400,800 nm, and then, With the increase of Si doping content, the transmittance decreases first and then increases, and a minimum of transmittance is achieved at the doping amount of 4.5%. In addition, when Si doping amount is 4.5, the reflectivity and absorption coefficient are the largest.
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國家科技重大專項項目
【分類號】：TB30
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，本文編號：1614716
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