本文選題：納米線　切入點：異質結構　出處：《北京郵電大學》2015年碩士論文　論文類型：學位論文

【摘要】：納米線的一維幾何特征使其可以將不同材料靈活地組合在一起,形成各種功能納異質結構。納米線徑向異質結構是在納米線側面同軸生長不同材料而形成的“核-殼”結構,是納米線光電子器件的核心結構單元之一,在納米線激光器、納米線太陽能電池等器件中有廣闊的應用前景。對納米線徑向異質結構的理論和實驗研究對設計、制備高性能納米光電子器件具有重要的指導意義。本論文圍繞Ⅲ-Ⅴ族納米線徑向異質結構開展了系統(tǒng)的理論和實驗研究,主要研究成果如下： 1、建立了納米線“核殼”結構的彈性力學模型,研究了其臨界尺寸與核半徑、殼層厚度、材料失配度的關系。得出了在失配度一定的情況下,納米線核半徑存在一個臨界值,小于該值時,系統(tǒng)不會產生位錯；大于該值時,可以通過控制外層的厚度實現無位錯。當納米線尺寸一定時,失配度越大,臨界尺寸越小。 2、理論研究了GaAs/InGaAs/GaAs納米線徑向量子阱結構的臨近尺寸。結果表明,在大多數情況下,位錯優(yōu)先在內異質界面產生。僅在In組分很大或核半徑很小時,位錯有可能在外異質界面產生。與“核殼”結構不同,納米線徑向量子阱結構的臨界尺寸由內、外兩個界面的應力場決定,與納米線核半徑和最外層殼厚度兩個參數有關。在某一核半徑的情況下,阱層臨界尺寸比“核殼”結構的臨界尺寸值小,且隨最外殼層厚度的增加而減小。在一定的條件下,通過控制納米線核半徑和最外層殼厚度,可以實現結構的無位錯生長。理論研究結果與已報道的實驗結果非常吻合。 3、利用金催化MOCVD方法制備了GaAs/InGaAs "核殼”結構和GaAs/InGaAs/GaAs徑向量子阱結構,并對其形貌、結構特征進行了系統(tǒng)表征。實驗結果與前面的理論計算結果吻合。此外,初步探索了單根納米線徑向異質結構的電極制備工藝。
[Abstract]:The one-dimensional geometric characteristics of nanowires make it possible to combine different materials together flexibly to form various functional nanoscale heterostructures. Nanowires radial heterostructures are coaxial coaxial growth of different materials on the side of nanowires to form "core-shell" structures. It is one of the core structure units of nanowire optoelectronic devices, and has a broad application prospect in nanowire lasers, nanowire solar cells and other devices. It is of great significance to fabricate high performance nano-optoelectronic devices. In this thesis, the theoretical and experimental studies on the radial heterostructures of 鈪，

本文編號：1581392