本文選題：硅薄膜　切入點：PECVD　出處：《湖南師范大學(xué)》2016年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

【摘要】：本文利用PECVD制備納晶硅薄膜,實驗選用10%的SiHH4作為硅源,在普通玻璃襯底上沉積了硼摻雜硅薄膜.制備的工藝參數(shù)范圍如下,沉積溫度：350℃-550℃；SiHH4氣體流量：10SCCM-50SCCM;射頻功率：60W-140W；本底真空度：7.5×10-4Pa；沉積氣壓：100Pa；沉積時間：30-60min。采用掃描電子顯微鏡(SEM),X射線衍射儀(XRD),四探針(Four-Probe)等手段研究了沉積溫度,射頻功率等參數(shù)對硅薄膜的結(jié)構(gòu),電學(xué)性質(zhì)的影響。結(jié)果表明：PECVD制備摻B硅薄膜時,隨著襯底溫度的增加,電阻率先降低后升高,在450℃～500℃的溫度范圍內(nèi)有利于B元素摻入硅薄膜之中；摻B時不同射頻功率制備硅薄膜的電阻率,隨著入射功率的增加,電阻率先降低后升高,入射功率為100W與60W時比較下降一個數(shù)量級,由此說明,高于60W射頻功率時有利于B元素摻入硅薄膜之中.運用CS350電化學(xué)工作站測量了硅薄膜的腐蝕過程,研究了硅薄膜制備參數(shù)如襯底溫度和射頻功率對其腐蝕率的影響,并觀測了氫氟酸濃度對腐蝕后的硅薄膜的表面形貌的影響。結(jié)果表明,襯底溫度為500℃和射頻功率為100W時制備的硅薄膜腐蝕速率較快,抗腐蝕性能較差。
[Abstract]:In this paper, nanocrystalline silicon thin films were prepared by PECVD. The boron doped silicon thin films were deposited on ordinary glass substrates using 10% SiHH4 as silicon source. The process parameters are as follows. The deposition temperature is: 350 鈩，

本文編號：1557212