本文關(guān)鍵詞： 射頻磁控濺射 AZO/Ag/AZO 光電性能　出處：《物理學(xué)報(bào)》2017年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：在室溫條件下,采用射頻磁控濺射法在玻璃基底上制備出了一系列高質(zhì)量的AZO薄膜和不同Ag緩沖層厚度的AZO/Ag/AZO復(fù)合薄膜.利用x射線衍射和原子力顯微鏡分別對薄膜的物相和表面形貌進(jìn)行了表征;利用霍爾效應(yīng)測試儀和紫外一可見光分光光度計(jì)等實(shí)驗(yàn)技術(shù)對薄膜的光電性能進(jìn)行了研究.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,Ag緩沖層厚度對AZO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和光電性能影響較大.當(dāng)Ag層厚度為10 nm時(shí),AZO(30nm)/Ag(10 nm)/AZO(30 nm)薄膜擁有最優(yōu)品質(zhì)因子,為1.59×10~(-1)Ω~(-1),方塊電阻為0.75Ω/□,可見光區(qū)平均透過率為84.2%.另外,薄膜電阻隨溫度的變化趨勢呈現(xiàn)金屬電阻隨溫度的變化特性,光電熱穩(wěn)定性較好.
[Abstract]:At room temperature, A series of high quality AZO thin films and AZO/Ag/AZO composite films with different Ag buffer thickness were prepared on glass substrates by RF magnetron sputtering. The phase and surface of the films were investigated by X-ray diffraction and atomic force microscopy, respectively. The morphology was characterized. The optical and electrical properties of AZO thin films were studied by using Hall effect tester and UV-Vis spectrophotometer. The results show that the thickness of Ag buffer layer has a great influence on the crystal structure and photoelectric properties of AZO thin films. When the thickness of Ag layer is 10 nm, the AZO thin film has the best quality factor. The film resistance is 1.59 脳 10 ~ (-1) 惟 ~ (-1) 惟 ~ (-1), the square resistance is 0.75 惟 / -and the average transmittance in the visible region is 84.2%. In addition, the variation trend of film resistance with temperature shows the variation of metal resistance with temperature, and the photoelectric thermal stability is better.
【作者單位】： 河南理工大學(xué)物理與電子信息學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:11140064,11304081,51301062)資助的課題~~
【分類號】：TB383.2

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本文編號：1520372