發(fā)布時(shí)間：2018-01-12 01:06

  本文關(guān)鍵詞：基于UV光照射在硅片表面活化的陽(yáng)極鍵合工藝研究　出處：《科學(xué)技術(shù)與工程》2017年02期 　論文類(lèi)型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 陽(yáng)極鍵合 UV光照射 親水性 鍵合強(qiáng)度

【摘要】：為了減少陽(yáng)極鍵合試驗(yàn)時(shí)Si片和Pyrex玻璃片的鍵合困難,提高硅片表面活性和鍵合質(zhì)量,在陽(yáng)極鍵合的表面預(yù)處理工藝中引進(jìn)UV光對(duì)硅片的活化并對(duì)其工藝參數(shù)和效果進(jìn)行評(píng)估�；陉�(yáng)極鍵合實(shí)驗(yàn)的基本流程,采用對(duì)比實(shí)驗(yàn),探究UV光對(duì)硅片的照射與否,以及對(duì)硅片照射的時(shí)間長(zhǎng)短對(duì)硅片表面的影響,并利用大恒圖像系列數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、單軸拉伸測(cè)試儀分別對(duì)UV光照射前后硅片的活化效果和鍵合強(qiáng)度進(jìn)行了測(cè)試與表征。結(jié)果表明經(jīng)過(guò)該UV光源適當(dāng)4 min時(shí)間照射的硅片,其表面的親水鍵合活化能得到很大提高,可以顯著地改善鍵合片的表面狀況。驗(yàn)證了該工藝在陽(yáng)極鍵合的預(yù)處理方法上的可行性和有效性。
[Abstract]:In order to reduce the anodic bonding between Si film and Pyrex glass bonding difficulties, improve the surface activity and wafer bonding quality in anodic bonding, surface pretreatment technology in the introduction of UV light activated on the silicon wafer and the process parameters and to assess the effect. The basic process of anodic bonding experiment based on the experiment research UV light irradiation on the wafer or not, and the influence of irradiation time on silicon wafer surface, and the use of digital image Daheng camera series, the uniaxial tensile tester respectively before and after the irradiation of UV light activation effect and wafer bonding strength were tested and characterized. The results showed that after the UV the appropriate source 4 min time irradiation wafer, the surface of the hydrophilic bond activation energy has been greatly improved, the surface conditions can significantly improve the bonding sheet. Verify the process in the anodic bonding pretreatment method on Feasibility and effectiveness.

【作者單位】： 蘇州大學(xué)機(jī)器人與微系統(tǒng)研究中心蘇州納米科技協(xié)同創(chuàng)新中心;
【基金】：高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)科研基金(20133201130003) 蘇州市產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新專(zhuān)項(xiàng)資金(SYG201540) 國(guó)家重大科學(xué)儀器設(shè)備開(kāi)發(fā)專(zhuān)項(xiàng)資金(2013YQ470767)資助
【分類(lèi)號(hào)】：TB306
【正文快照】： 陽(yáng)極鍵合是MEMS熱鍵合技術(shù)中的一種,又叫電場(chǎng)輔助擴(kuò)散連接[1]。陽(yáng)極鍵合技術(shù)由于工藝簡(jiǎn)單、鍵合強(qiáng)度高、能較好的實(shí)現(xiàn)硅片與襯底材料的鍵合,因此大多采用陽(yáng)極鍵合技術(shù)對(duì)硅片和襯底材料進(jìn)行鍵合。在眾多的鍵合材料中,P型硅和Pyrex7740玻璃由于具有相似的熱膨脹系數(shù),成為最典型

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1411997