本文關(guān)鍵詞：基于UV光照射在硅片表面活化的陽極鍵合工藝研究　出處：《科學技術(shù)與工程》2017年02期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：為了減少陽極鍵合試驗時Si片和Pyrex玻璃片的鍵合困難,提高硅片表面活性和鍵合質(zhì)量,在陽極鍵合的表面預(yù)處理工藝中引進UV光對硅片的活化并對其工藝參數(shù)和效果進行評估。基于陽極鍵合實驗的基本流程,采用對比實驗,探究UV光對硅片的照射與否,以及對硅片照射的時間長短對硅片表面的影響,并利用大恒圖像系列數(shù)字攝像機、單軸拉伸測試儀分別對UV光照射前后硅片的活化效果和鍵合強度進行了測試與表征。結(jié)果表明經(jīng)過該UV光源適當4 min時間照射的硅片,其表面的親水鍵合活化能得到很大提高,可以顯著地改善鍵合片的表面狀況。驗證了該工藝在陽極鍵合的預(yù)處理方法上的可行性和有效性。
[Abstract]:In order to reduce the anodic bonding between Si film and Pyrex glass bonding difficulties, improve the surface activity and wafer bonding quality in anodic bonding, surface pretreatment technology in the introduction of UV light activated on the silicon wafer and the process parameters and to assess the effect. The basic process of anodic bonding experiment based on the experiment research UV light irradiation on the wafer or not, and the influence of irradiation time on silicon wafer surface, and the use of digital image Daheng camera series, the uniaxial tensile tester respectively before and after the irradiation of UV light activation effect and wafer bonding strength were tested and characterized. The results showed that after the UV the appropriate source 4 min time irradiation wafer, the surface of the hydrophilic bond activation energy has been greatly improved, the surface conditions can significantly improve the bonding sheet. Verify the process in the anodic bonding pretreatment method on Feasibility and effectiveness.

【作者單位】： 蘇州大學機器人與微系統(tǒng)研究中心蘇州納米科技協(xié)同創(chuàng)新中心;
【基金】：高等學校博士學科點專項科研基金(20133201130003) 蘇州市產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新專項資金(SYG201540) 國家重大科學儀器設(shè)備開發(fā)專項資金(2013YQ470767)資助
【分類號】：TB306
【正文快照】： 陽極鍵合是MEMS熱鍵合技術(shù)中的一種,又叫電場輔助擴散連接[1]。陽極鍵合技術(shù)由于工藝簡單、鍵合強度高、能較好的實現(xiàn)硅片與襯底材料的鍵合,因此大多采用陽極鍵合技術(shù)對硅片和襯底材料進行鍵合。在眾多的鍵合材料中,P型硅和Pyrex7740玻璃由于具有相似的熱膨脹系數(shù),成為最典型

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本文編號：1411997