本文關(guān)鍵詞：ZnO納米陣列結(jié)構(gòu)酒精氣敏特性研究　出處：《西安工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)》2016年09期 　論文類(lèi)型：期刊論文

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【摘要】：為了提高ZnO氣敏元件對(duì)酒精蒸汽的氣敏響應(yīng),改善氣敏元件的穩(wěn)定性及耐久性,文中采用化學(xué)水熱法在預(yù)處理后的陶瓷管電極表面生長(zhǎng)ZnO納米陣列材料,通過(guò)退火處理后得到薄膜ZnO氣敏元件.借助X射線衍射儀和掃描電子顯微鏡對(duì)所得產(chǎn)物的晶體結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行表征.采用靜態(tài)配氣法對(duì)其進(jìn)行不同濃度(1×10-4,2×10-4,5×10-4,1×10-3)的酒精蒸汽氣敏性能測(cè)試.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:該結(jié)構(gòu)為分散均勻的ZnO納米線陣列狀結(jié)構(gòu),該納米結(jié)構(gòu)薄膜氣敏元件具有較好的氣敏性能,具有較快的響應(yīng)及恢復(fù).隨環(huán)境中酒精蒸汽濃度的增加,其氣敏性能逐步提升,在5×10-4酒精蒸汽氣敏濃度下氣敏性能達(dá)到峰值.不同濃度條件下,氣敏響應(yīng)及恢復(fù)時(shí)間不同,在1×10-4條件下度響應(yīng)時(shí)間最快,1×10-3濃度下恢復(fù)時(shí)間最快,2×10-4濃度下響應(yīng)恢復(fù)時(shí)間最均衡.
[Abstract]:In order to improve the gas sensing response of ZnO gas sensor to alcohol vapor, and improve the stability and durability of gas sensor. In this paper, ZnO nanoarrays were grown on the surface of ceramic tube electrode by chemical hydrothermal method. The thin film ZnO gas sensor was obtained by annealing. The crystal structure and morphology of the product were characterized by X-ray diffractometer and scanning electron microscope. 1 脳 10-4. The gas sensing properties of alcohol vapor were measured by 2 脳 10-4 (5 脳 10-4) 1 脳 10-3). The experimental results show that the structure is a well-dispersed ZnO nanowire array structure. The nanostructure thin film gas sensor has better gas sensing performance, and has a faster response and recovery. With the increase of alcohol vapor concentration in the environment, the gas sensing performance is gradually improved. The gas sensing performance reached the peak at 5 脳 10 ~ (-4) vapor gas sensitive concentration. Under different concentration, the gas sensitivity response and recovery time were different, and the degree response time was the fastest at 1 脳 10 ~ (-4). The fastest recovery time is at 1 脳 10 ~ (-3) concentration and the most balanced response time is at 2 脳 10 ~ (-4) concentration.
【作者單位】： 西安工業(yè)大學(xué)理學(xué)院;西安石油大學(xué)理學(xué)院;
【基金】：陜西省教育廳科學(xué)研究基金(14JK1331)
【分類(lèi)號(hào)】：TB383.1;TB381
【正文快照】： 一維氧化物納米材料[1]由于其特殊的物理化學(xué)性質(zhì),引起研究者廣泛關(guān)注.ZnO、SnO2、In2O3、WO3等半導(dǎo)體納米材料受到較廣泛和深入的研究.納米材料逐漸被應(yīng)用于各個(gè)科技領(lǐng)域,如場(chǎng)效應(yīng)晶體管、燃料敏化太陽(yáng)能電池、光催化、光伏器件及氣敏傳感器[2].關(guān)于ZnO納米材料的相關(guān)研究較

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本文編號(hào)：1409433