本文關(guān)鍵詞：Cu氧化物薄膜及納米線器件的電阻開(kāi)關(guān)特性研究　出處：《暨南大學(xué)》2015年碩士論文　論文類(lèi)型：學(xué)位論文

  更多相關(guān)文章： CuO納米線 熱氧化法 直流磁控濺射 電阻開(kāi)關(guān) 導(dǎo)電機(jī)制

【摘要】：本文主要研究了氧化銅納米線(CuO NW)器件和銅氧化物薄膜器件的電阻開(kāi)關(guān)特性。首先,采用熱氧化法制備了大量的CuO NW,利用一種簡(jiǎn)單的液體點(diǎn)滴法進(jìn)行CuO NW電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器(RRAM)器件的組裝,對(duì)CuO NW器件表面形貌、電學(xué)性能進(jìn)行了表征,結(jié)果發(fā)現(xiàn)一維的CuO NW RRAM器件具有明顯的電阻開(kāi)關(guān)特性,進(jìn)一步的分析表明這種電阻開(kāi)關(guān)效應(yīng)可以用導(dǎo)電燈絲的熱效應(yīng)進(jìn)行解釋。接著,利用直流磁控濺射法,在載玻片和FTO導(dǎo)電玻璃上采用不同的沉積條件(氧氣流量分別6 sccm、9 sccm、12 sccm、15 sccm、18 sccm、21 sccm、24 sccm)分別濺射了具有不同氧含量的Cu氧化物薄膜,通過(guò)X射線衍射(XRD)和透射譜的測(cè)量,發(fā)現(xiàn)隨著氧氣流量的不斷變化,薄膜成分從純的Cu2O變?yōu)镃u2O和CuO的混合物,最后又變?yōu)榧兊腃uO。最后,制備了不同電極材料(Ag、Cu)、不同立體結(jié)構(gòu)(平面結(jié)構(gòu)、立體結(jié)構(gòu))、不同氧分量(CuO、Cu2O)的Cu氧化物薄的RRAM器件。通過(guò)電學(xué)測(cè)試對(duì)比,我們發(fā)現(xiàn)了以下四點(diǎn):1)平面結(jié)構(gòu)的Cu氧化物薄膜RRAM器件阻變現(xiàn)象不明顯。2)用Cu電極和Ag電極制作的RRAM器件都觀察到了雙極型特性,前者制作的RRAM器件具有更大的高低阻值比;且Cu電極RRAM器件能觀察到單極型的阻變現(xiàn)象。3)在以Cu電極作為上電極的銅氧化物薄膜立體結(jié)構(gòu)的RRAM器件中,CuO薄膜的RRAM器件比Cu2O薄膜的RRAM器件更穩(wěn)定,可控性和耐受性更好。4)銅氧化物薄膜器件中的電阻開(kāi)關(guān)效應(yīng)同樣可以用導(dǎo)電燈絲的熱效應(yīng)進(jìn)行解釋。
[Abstract]:This paper mainly studies the copper oxide nanowires (CuO NW) resistance switching characteristic and copper oxide thin film devices. Firstly, a large number of CuO NW were prepared by thermal oxidation method, CuO NW resistive random access memory using a simple liquid drop method (RRAM) device assembly, on the surface of the NW device CuO the morphology and electrical properties were studied, the results showed that CuO NW RRAM device with one-dimensional resistive switching characteristics obviously, further analysis shows that the resistance switching effect can be explained by the thermal effect of conductive filament. Then, using DC magnetron sputtering with different deposition conditions on glass and FTO conductive glass (oxygen the flow rate were 6 SCCM, 9 SCCM, 12 SCCM, 15 SCCM, 18 SCCM, 21 SCCM, 24 SCCM) Cu oxide films with different oxygen content respectively by sputtering, X ray diffraction (XRD) measurement and transmission spectrum, we found that with the Changing the flow rate of oxygen, the composition of the film from the pure Cu2O into a mixture of Cu2O and CuO, and finally turned into pure CuO. finally, different electrode materials were prepared (Ag, Cu), different three-dimensional structure (planar structure, three-dimensional structure), different oxygen components (CuO, Cu2O) RRAM devices Cu thin oxide. By comparing the electrical test, we found the following four points: 1) Cu oxide thin film RRAM devices with planar structure variable resistance phenomenon is not obvious.2) with RRAM devices Cu and Ag electrodes have been observed in bipolar RRAM device characteristics, the former have produced a greater level of resistance ratio; and Cu electrode of the RRAM device can observe unipolar resistive phenomenon in.3) using Cu electrode as the RRAM device of copper oxide film on the electrode of the three-dimensional structure of RRAM device of CuO thin film is more stable than RRAM Cu2O thin film devices, controllability and resistance of.4 copper oxide film) The resistance switching effect in the device can also be explained by the thermal effect of the conductive filament.

【學(xué)位授予單位】：暨南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類(lèi)號(hào)】：TB383

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 張忠模;;我國(guó)藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光材料與器件研究取得新進(jìn)展[J];功能材料信息;2007年03期

2 董建華;“有機(jī)/聚合物光電信息材料與器件”研究取得重要進(jìn)展[J];神州學(xué)人;1999年12期

3 盧利平;;中烏合作項(xiàng)目“碲銦汞新型光電材料與器件研究”通過(guò)驗(yàn)收[J];功能材料信息;2007年03期

4 ;《功能材料與器件學(xué)報(bào)》第十一卷(2005)總目錄[J];功能材料與器件學(xué)報(bào);2005年04期

5 熊金柱;;量子線器件電致性能模擬研究[J];煤炭技術(shù);2010年11期

6 ;中國(guó)科學(xué)院物理研究所納米物理與器件實(shí)驗(yàn)室[J];物理;2013年02期

7 彭練矛,陳清,梁學(xué)磊,車(chē)仁超,夏洋,薛增泉,吳全德;碳納米管室溫單電子器件的構(gòu)建和特性測(cè)量[J];物理;2002年12期

8 龔旗煌;胡小永;童利民;;若干新型微納光子學(xué)器件研究[J];物理;2010年09期

9 於黃忠;彭俊彪;;影響共混結(jié)構(gòu)聚合物光電池性能的因素[J];高分子材料科學(xué)與工程;2008年09期

10 ;[J];;年期

相關(guān)會(huì)議論文 前3條

1 龔旗煌;胡小永;李智;古英;張家森;楊宏;;介觀光子學(xué)器件研究進(jìn)展[A];2008介觀光學(xué)及其應(yīng)用研討會(huì)論文集[C];2008年

2 曹鏞;;聚合物發(fā)光材料與器件研究的進(jìn)展[A];第九屆全國(guó)發(fā)光學(xué)術(shù)會(huì)議摘要集[C];2001年

3 童利民;;微納光纖及其器件研究進(jìn)展[A];2008介觀光學(xué)及其應(yīng)用研討會(huì)論文集[C];2008年

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前2條

1 本報(bào)記者 操秀英;進(jìn)軍多學(xué)科前沿交叉新領(lǐng)域[N];科技日?qǐng)?bào);2010年

2 唐婷邋徐玢;探索在下一代電子器件發(fā)展最前沿[N];科技日?qǐng)?bào);2007年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條

1 孟繁新;碳基納米器件光電特性研究和金屬材料中氦原子行為研究[D];復(fù)旦大學(xué);2014年

2 委福祥;新型高性能有機(jī)電致發(fā)光器件的研究[D];上海大學(xué);2007年

3 郭鵬;有機(jī)電雙穩(wěn)材料與器件的研究[D];復(fù)旦大學(xué);2007年

4 楊樹(shù)威;新型自供能電致變色材料和器件的探索及研發(fā)[D];中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué);2013年

5 張曉波;染料摻雜的有機(jī)電致磷光/白光器件研究[D];上海大學(xué);2007年

6 劉向;有機(jī)薄膜晶體管及微腔頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光器件的研究[D];上海大學(xué);2007年

7 胡仕剛;超薄柵氧MOS器件柵泄漏電流研究[D];西安電子科技大學(xué);2009年

8 劉舉慶;石墨烯基導(dǎo)電薄膜及其有機(jī)半導(dǎo)體二極管器件的制備與性能研究[D];南京郵電大學(xué);2011年

9 王蜀霞;有機(jī)半導(dǎo)體LPPP發(fā)光性質(zhì)及相關(guān)問(wèn)題研究[D];重慶大學(xué);2002年

10 劉文軍;納米CMOS器件的新測(cè)量方法并用于可靠性的研究[D];復(fù)旦大學(xué);2009年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 陽(yáng)斌;Cu氧化物薄膜及納米線器件的電阻開(kāi)關(guān)特性研究[D];暨南大學(xué);2015年

2 肖建偉;染料敏化太陽(yáng)能電池二氧化鈦光陽(yáng)極構(gòu)筑及界面調(diào)控研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2015年

3 魏彩紅;苯并噻二唑—苯胺—芴類(lèi)聚合物的合成和發(fā)光性能研究[D];華南理工大學(xué);2010年

4 胡貴州;原位生長(zhǎng)介質(zhì)層MIS-HEMT器件的研究[D];西安電子科技大學(xué);2010年

5 趙連鋒;高k介質(zhì)/金屬柵銻化鎵MOS器件關(guān)鍵技術(shù)研究[D];清華大學(xué);2014年

6 秦雪雪;GaN基毫米波異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件研究[D];西安電子科技大學(xué);2010年

7 趙金霞;基于GaN MOS器件的注入和氧化工藝研究[D];電子科技大學(xué);2009年

8 鄭良晨;小尺寸應(yīng)變LDMOS器件研究[D];電子科技大學(xué);2013年

9 羅文;超支化電磷光綠光聚合物的合成與光電性能研究[D];華南理工大學(xué);2011年

10 徐光明;新型SOI D-RESURF LDMOS高壓器件研究[D];南京郵電大學(xué);2014年

，

本文編號(hào)：1374092