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氫氣流量對(duì)類金剛石薄膜結(jié)構(gòu)與性能的影響

發(fā)布時(shí)間:2017-12-06 23:13

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  更多相關(guān)文章: 反應(yīng)磁控濺射 類金剛石薄膜 氫氣流量 X射線光電子能譜 厚膜


【摘要】:采用直流/射頻耦合反應(yīng)磁控濺射法在Si(100)襯底上成功制備出類金剛石(DLC)薄膜。利用表面輪廓儀、Raman光譜儀、X射線光電子能譜儀表征所制備薄膜在不同氫氣流量下的沉積速率和化學(xué)結(jié)構(gòu),討論了氫氣流量對(duì)薄膜沉積速率和化學(xué)結(jié)構(gòu)的影響;利用納米壓痕技術(shù)及曲率彎曲法表征薄膜的力學(xué)性能;利用掃描電鏡和原子力顯微鏡表征薄膜的表面形貌與粗糙度。研究表明:隨著氫氣流量的增加,所制備薄膜的沉積速率逐漸減小,而薄膜中sp3鍵的含量逐漸增大。當(dāng)氫氣流量為25mL/min時(shí),薄膜中sp3鍵的含量為36.3%,薄膜的硬度和體彈性模量分別達(dá)到最大值17.5GPa和137GPa。同時(shí),所制備薄膜的內(nèi)應(yīng)力均低于0.5GPa,有望成功制備出低內(nèi)應(yīng)力的高質(zhì)量DLC厚膜。隨著氫氣流量的增加,DLC薄膜的表面變得更致密光滑,且表面均方根粗糙度由5.40nm降為1.46nm。
【作者單位】: 西南科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;中國工程物理研究院激光聚變研究中心;
【基金】:等離子體物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金資助項(xiàng)目(9140C680401140C68290)
【分類號(hào)】:TQ163;TB383.2
【正文快照】: 激光慣性約束聚變(ICF)是實(shí)現(xiàn)受控?zé)岷司圩兎磻?yīng)的一種主要方式[1]。類金剛石(DLC)薄膜因其對(duì)250~300eV光子的透過率低且相應(yīng)的Z值小、能有效吸收能量、產(chǎn)生高的燒蝕率,從而降低燒蝕面的瑞利-泰勒(R-T)不穩(wěn)定性[2-3]。且其密度大,在給定燒蝕層質(zhì)量的條件下,制備出的靶丸殼層更

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 席彩萍;;氫氣流量對(duì)碳納米管生長的影響[J];材料開發(fā)與應(yīng)用;2013年02期

2 ;[J];;年期

,

本文編號(hào):1260297

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