脈沖激光沉積制備氧化鈦薄膜及其阻變效應(yīng)的研究
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【摘要】:阻變存儲(chǔ)器作為下一代非易失性存儲(chǔ)器的有力競爭者之一,在最近十多年來吸引了廣泛的關(guān)注。作為阻變存儲(chǔ)器的核心,阻變材料的阻變性能和阻變機(jī)制一直是相關(guān)研究方向中的熱點(diǎn)問題。本文采用脈沖激光沉積(Pulsed Laser Deposition,PLD)技術(shù)在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制備了TiO_2為功能層的薄膜型阻變存儲(chǔ)器單元。本論文通過控制TiO_2薄膜的沉積和退火工藝條件改變TiO_2薄膜中的氧空位缺陷,測試TiO_2阻變效應(yīng)和制備工藝的關(guān)系,系統(tǒng)分析TiO_2薄膜的導(dǎo)電機(jī)制,結(jié)合XPS分析等手段討論了TiO_2薄膜的阻變模型。(1)論文首先通過脈沖激光沉積技術(shù)在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制備TiO_2為功能層的薄膜型阻變存儲(chǔ)器單元。采用X射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)、掃描電子顯微鏡(SEM)等手段,分析了氧分壓、沉積溫度、激光能量等制備工藝對TiO_2薄膜結(jié)構(gòu)的影響。通過電流-電壓(I-V)測試研究阻變開關(guān)比與沉積工藝的關(guān)系,觀察到不需要電形成過程及開關(guān)比1000倍的阻變現(xiàn)象,確定了優(yōu)化的TiO_2沉積工藝:溫度為600℃、沉積氧分壓為10Pa、激光能量為150 mJ。(2)基于上述優(yōu)化制備工藝,進(jìn)一步通過系統(tǒng)地調(diào)控原位退火氧分壓,在TiO_2薄膜中得到開關(guān)比50000倍非對稱的雙極性阻變行為。通過控制退火氧分壓,顯著提高了TiO_2薄膜I-V曲線的一致性。在10Pa退火條件下制備的TiO_2薄膜經(jīng)過1500次翻轉(zhuǎn)仍然具有良好的一致性。(3)最后,通過測試不同電極面積I-V曲線、不同溫度下的I-V曲線,并對I-V曲線進(jìn)行擬合分析TiO_2阻變薄膜的導(dǎo)電機(jī)理,采用上述方法制備的TiO_2阻變效應(yīng)是受空間電荷限制電流模型(SCLC)和肖特基發(fā)射模型(SE)控制產(chǎn)生。綜上所述,本文通過系統(tǒng)研究TiO_2薄膜的PLD沉積工藝,控制TiO_2薄膜的原位退火工藝,制備出TiO_2阻變薄膜材料,分析了薄膜阻變開關(guān)比與制備工藝的關(guān)系。導(dǎo)電機(jī)制分析表面所制備TiO_2薄膜的阻變機(jī)制為界面型,具有較好的I-V曲線一致性,為TiO_2薄膜在RRAM的實(shí)際應(yīng)用提供了支持。
【學(xué)位授予單位】:電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TB383.2
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