本文關(guān)鍵詞：基于田口法的在玻璃基板上濺射ITO薄膜制作工藝研究

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【摘要】：利用射頻磁控濺射方式將氧化銦錫(ITO)沉積在玻璃基板上,設(shè)定溫度、壓力、濺射功率為主要參數(shù),每個(gè)參數(shù)均有3個(gè)水平,運(yùn)用田口實(shí)驗(yàn)方法設(shè)計(jì)L9直交表,質(zhì)量目標(biāo)設(shè)定為方阻,以變異數(shù)分析得到的結(jié)果作為最優(yōu)工藝參數(shù)條件,并測(cè)量膜厚、透光率。以X光衍射儀分析結(jié)晶狀況、SEM觀察結(jié)構(gòu)及生長(zhǎng)型態(tài)來(lái)了解其性質(zhì)。結(jié)果顯示功率對(duì)方阻的影響最大,貢獻(xiàn)度占91%,而功率大,薄膜厚度越厚,晶粒粒徑較大,結(jié)晶性較強(qiáng),方阻減小及透過(guò)率降低。由于結(jié)晶性好也提高透光率,膜厚100~300nm時(shí),透光率80%以上。最優(yōu)工藝參數(shù)為溫度230℃、功率300 W及壓力在1.5mTorr下有方阻最小。
【作者單位】： 福建信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院機(jī)電工程系;高雄應(yīng)用科技大學(xué)模具工程系;
【基金】：福建省中青年教師教育科研項(xiàng)目(JA15682)
【分類(lèi)號(hào)】：TB383.2
【正文快照】： 0前言ITO(Indium Tin Oxide)具有立方體鐵錳礦結(jié)構(gòu),禁帶寬度為3.5eV[1],因其具有易于光蝕刻加工、可見(jiàn)光區(qū)高的透光率及低的電阻率等優(yōu)點(diǎn),其在日常的電子產(chǎn)品中被廣泛運(yùn)用。例如:液晶顯示器導(dǎo)電薄膜、太陽(yáng)能薄膜電池、有機(jī)發(fā)光二極管及抗靜電涂層等,還有其他應(yīng)用在不斷被開(kāi)發(fā)

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1250581