本文關(guān)鍵詞：幾種光催化半導(dǎo)體材料的電子結(jié)構(gòu)及相關(guān)性質(zhì)的第一性原理研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

產(chǎn)品名稱：形成半導(dǎo)體器件技術(shù)+ZnO基稀磁半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)與性能研究
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聯(lián)系人：王明檜
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'形成半導(dǎo)體器件技術(shù)+ZnO基稀磁半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)與性能研究一.本套《形成半導(dǎo)體器件技術(shù)+ZnO基稀磁半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)與性能研究技術(shù)資料》共三張光盤。包含一張pdf圖書或相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)光盤（里面有我們獨(dú)家聘請(qǐng)的相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)權(quán)威和技術(shù)專家專業(yè)編寫的5本相關(guān)技術(shù)書籍或技術(shù)資料）及二張配套生產(chǎn)技術(shù)工藝光盤。聯(lián)系電話:15095686581。二.本套《形成半導(dǎo)體器件技術(shù)+ZnO基稀磁半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)與性能研究》全國(guó)范圍內(nèi)可貨到付款，默認(rèn)發(fā)順豐快遞。三.本套《形成半導(dǎo)體器件技術(shù)+ZnO基稀磁半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)與性能研究》資料包含的5本pdf圖書或技術(shù)資料目錄及摘要如下：1.半導(dǎo)體激光器組件的傳熱特性與熱電控制技術(shù)研究【簡(jiǎn)介】作為一種新型的光源，半導(dǎo)體激光器(LD，Laser Diode)因具有轉(zhuǎn)換效率高、體積小、重量輕、可靠性高、能直接調(diào)制及與其它半導(dǎo)體器件集成的能力強(qiáng)等特點(diǎn)，已經(jīng)越來越廣泛地應(yīng)用于通信、精密測(cè)量、材料加工、醫(yī)療和軍事等領(lǐng)域，其工作穩(wěn)定性和可靠性在應(yīng)用系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。伴隨著LD的廣泛應(yīng)用，其熱問題一直是人們關(guān)注的焦點(diǎn)之一。特別是近年來，LD多以組件的形式生產(chǎn)和封裝，封裝的趨勢(shì)更是朝向輕薄短小，這造成器件的發(fā)熱密度不斷提升，，從而對(duì)半導(dǎo)體激光器組件的傳熱特性與熱控制技術(shù)研究提出了新的要求。為此，本文對(duì)半導(dǎo)體激光器組件的傳熱特性進(jìn)行了理論分析，并針對(duì)目前半導(dǎo)體激光器組件熱電控制技術(shù)在應(yīng)用研究中存在的問題，進(jìn)行了深入系統(tǒng)地研究。論文主要研究工作如下： 1．作為研究半導(dǎo)體激光器組件傳熱特性與熱控制的基礎(chǔ)，對(duì)熱電制冷2.幾種光催化半導(dǎo)體材料的電子結(jié)構(gòu)及相關(guān)性質(zhì)的第一性原理研究【簡(jiǎn)介】光催化在當(dāng)今環(huán)境和能源問題研究領(lǐng)域受到了越來越廣泛的重視。TiO2由于具有無毒、穩(wěn)定、成本低及易合成等優(yōu)點(diǎn)而成為目前研究和應(yīng)用最廣泛的光催化材料。但是,由于TiO2只能吸收紫外光,而對(duì)占太陽光能量43%的可見光沒有響應(yīng),而且TiO2的光生電子-空穴對(duì)容易復(fù)合,所以其光催化的量子效率比較低,這大大限制了其大規(guī)模的實(shí)際應(yīng)用。為了拓展光催化的應(yīng)用范圍,開發(fā)具有高可見光光催化活性的光催化材料,科研工作者進(jìn)行了大量的研究并取得了一定的進(jìn)展。近年來,非金屬摻雜作為一種拓寬TiO2光響應(yīng)范圍的有效途徑之一得到了廣泛的研究,比如N摻雜、C摻雜TiO2的太陽光光催化活性可以得到有效的提高。除了非金屬摻雜,最近研究者發(fā)現(xiàn)了一種新的有效提高TiO2太陽光光催化活性的方法-—氫化。據(jù)2011年《科學(xué)》雜志報(bào)道,氫化使TiO2可見光吸收3.金屬表面等離子體增強(qiáng)硅基半導(dǎo)體材料發(fā)光【簡(jiǎn)介】隨著建立在硅材料基礎(chǔ)上的大規(guī)模集成電路的不斷發(fā)展,過高的互連和集成度帶來了信號(hào)延遲和器件過熱的問題,給以大規(guī)模集成電路為代表的微電子工業(yè)的持續(xù)發(fā)展帶來了很大的困難,而硅基光電子集成則是解決這一難題的理想途徑。但是,高效率的硅基發(fā)光材料和器件國(guó)際上依然沒有解決。而將金屬表面等離子體用于增強(qiáng)發(fā)光材料和器件量子效率,則是研究的熱點(diǎn)。本文將表面等離子體用于提高硅基發(fā)光材料和器件的發(fā)光效率,不僅在表面等離子耦合發(fā)光的機(jī)理研究上有重要的理論探索意義,而且在硅基光電子領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景。本文制備了金屬島膜和核-殼陣列結(jié)構(gòu),研究了影響其形貌和表面等離子體共振特性的因素,在此基礎(chǔ)上將金屬銀島膜用于增強(qiáng)硅基ZnO薄膜和富硅氮化硅薄膜的發(fā)光強(qiáng)度,并且詳細(xì)研究了影響材料與表面等離子體耦合發(fā)光的因素以及耦合作用機(jī)理。取得如下有創(chuàng)新意義4.半導(dǎo)體照明光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與仿真【簡(jiǎn)介】半導(dǎo)體照明已經(jīng)成為世界上新型照明光源的發(fā)展趨勢(shì),而高亮度、大功率的發(fā)光二極管(LED)更是照明光源中的需求熱點(diǎn)。本文主要研究半導(dǎo)體照明中光源模型的構(gòu)建和照明光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì),并利用光學(xué)機(jī)構(gòu)軟件對(duì)照明光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行設(shè)計(jì)與仿真,以此簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的流程,縮短系統(tǒng)設(shè)計(jì)的周期。論文分為以下四個(gè)部分:首先,簡(jiǎn)要地介紹了半導(dǎo)體照明技術(shù)的歷史與發(fā)展、LED的原理和關(guān)鍵技術(shù)等問題,并闡明了光學(xué)仿真在半導(dǎo)體照明光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的意義。其次,詳細(xì)介紹了照明光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的基本知識(shí)、計(jì)算機(jī)輔助光學(xué)設(shè)計(jì)中光線追跡理論、以及光學(xué)機(jī)構(gòu)仿真軟件(TracePro和LightTools)的光線追跡和LED建模等方法,并對(duì)光源的CAD實(shí)體模型、光源的發(fā)光特性、光強(qiáng)的空間分布等三個(gè)光源建模要素進(jìn)行深入的剖析。提出了利用光學(xué)機(jī)構(gòu)軟件進(jìn)行LED光源建模和照明光5.ZnO基稀磁半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)與性能研究【簡(jiǎn)介】稀磁半導(dǎo)體（DMS）能夠?qū)崿F(xiàn)電荷和自旋的同時(shí)操縱，可以極大地提高磁存儲(chǔ)的傳輸速率，因而受到了廣泛的關(guān)注。在本論文中，制備了平衡態(tài)生長(zhǎng)方式（sol-gel）和非平衡態(tài)生長(zhǎng)方式（磁控濺射、CVD、PLD）的不同濃度的單摻雜和共摻雜系列ZnO基稀磁半導(dǎo)體樣品。主要利用EXAFS和XANES方法結(jié)合其它多種實(shí)驗(yàn)手段從實(shí)驗(yàn)和理論兩方面聯(lián)合研究多種不同方法制備的過渡金屬摻雜ZnO稀磁半導(dǎo)體體系。采用熒光EXAFS方法詳細(xì)研究不同方法制備的ZnO稀磁半導(dǎo)體中摻雜過渡金屬原子在ZnO介質(zhì)中的局域結(jié)構(gòu)，摻雜原子對(duì)于基質(zhì)中Zn的局域結(jié)構(gòu)的影響。從實(shí)驗(yàn)和理論（FEFF8軟件包）分析Zn、Co以及O的K邊XANES譜，對(duì)過渡金屬摻雜導(dǎo)致ZnO基稀磁半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)變化，包括鍵長(zhǎng)、空位、間隙以及替代原子的排布方式進(jìn)行了詳細(xì)的研究。結(jié)合SQU四.本套技術(shù)資料包含的兩張相關(guān)技術(shù)配套光盤部分目錄如下：[ [0001] 使用壓電體的發(fā)電方法、發(fā)電裝置和電子機(jī)器[0002] 熱電式冷卻裝置、其所用半導(dǎo)體的制備方法及熱電式冷凍機(jī)[0003] 用于清洗半導(dǎo)體晶片的裝置和方法一個(gè)清洗半導(dǎo)體晶片的方法包括將液體放置在槽內(nèi)并且在液體表面形成一個(gè)氣—液界面。半導(dǎo)體晶片被放置在槽中以便于它沿通常豎直位置被定向，而且晶片至少有一部分處于液體中并低于氣-液界面。聲能被引導(dǎo)穿過液體。至少半導(dǎo)體晶片的位置和槽中液體相對(duì)于半導(dǎo)體水位這兩者之一被變動(dòng)以使得晶片的整個(gè)表面重復(fù)穿過氣-液界面。[0004] 半導(dǎo)體器件[0005] 帶突出電極的電子部件的制造裝置和制造方法[0006] 高電遷徒阻力的多層金屬化結(jié)構(gòu)及其設(shè)計(jì)方法[0007] 硅片的制造方法及其裝置[0008] 在基片上形成凸起的方法[0009] 一種電介質(zhì)其制造方法和半導(dǎo)體器件[0010] 半導(dǎo)體器件的制造方法[0011] 半導(dǎo)體器件壓觸管殼[0012] 由大小均一的金屬微珠組成的圖形陣列[0013] 恒溫電熱管[0014] 半導(dǎo)體基片的清洗方法、清洗系統(tǒng)和制造清洗液的方法[0015] 厚膜電阻元件制造方法[0016] 有源矩陣光電器件 [0017] 制造金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法[0018] 半導(dǎo)體集成電路裝置及其制造方法[0019] 半導(dǎo)體器件及其有關(guān)集成電路[0020] 絲焊方法半導(dǎo)體器件絲焊的毛細(xì)管及球塊形成方法[0021] 用于樹脂密封半導(dǎo)體器件的引線框和樹脂密封半導(dǎo)體器件的制造方法[0022] 用于軸外照明的標(biāo)度掩模板[0023] 突起形成體及突起的形成方法[0024] 半導(dǎo)體器件及其制造方法[0025] 奇數(shù)尼龍高溫鐵電體的制備方法[0026] 以槽形外殼構(gòu)件組構(gòu)的半導(dǎo)體二極管及其封裝方法[0027] 半導(dǎo)體晶片邊緣檢查方法和設(shè)備[0028] 射頻功率晶體管的布局[0029] 形成半導(dǎo)體器件金屬布線的方法[0030] 穩(wěn)定非晶硅及含穩(wěn)定非晶硅的器件[0031] 使半導(dǎo)體元件免受靜電損壞的保護(hù)二極管[0032] 具有分級(jí)位線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件[0033] 半導(dǎo)體腐蝕方法及用該腐蝕方法制造半導(dǎo)體器件的方法[0034] 制造LDD結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的方法[0035] 一種半導(dǎo)體器件及其制造工藝[0036] 半導(dǎo)體裝置 [0037] 半導(dǎo)體器件及其制造方法[0038] 半導(dǎo)體器件[0039] 窄禁帶源漏區(qū)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路[0040] 具有浮動(dòng)集電區(qū)的絕緣體上的硅器件[0041] 樹脂密封式半導(dǎo)體裝置及其制造方法[0042] 半導(dǎo)體器件的金屬接觸法[0043] 用于形成半導(dǎo)體器件雜質(zhì)結(jié)區(qū)的方法[0044] 集成電路的布局方法[0045] 用于高密度信息圖象顯示裝置的二維有機(jī)發(fā)光二極管陣列[0046] 電源檢測(cè)電路[0047] 彩色有機(jī)發(fā)光二極管陣列[0048] 形成半導(dǎo)體器件中金屬間絕緣層的方法[0049] 半導(dǎo)體器件的制造方法[0050] 場(chǎng)致發(fā)光裝置[0051] 不夾持的真空傳熱站[0052] 一種制造具有高電流密度的超導(dǎo)帶材的方法[0053] 高粘度材料用成型模、高粘度材料用成型裝置及高粘度材料的成型方法[0054] 用于在半導(dǎo)體器件的諸金屬布線之間形成絕緣薄膜的方法[0055] 半導(dǎo)體裝置[0056] 靜電放電保護(hù)電路 [0057] 用于形成歐姆電極的疊層體和歐姆電極[0058] 制造半導(dǎo)體器件中的場(chǎng)氧化層的方法[0059] 快速電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器單元及其制造方法[0060] 包括Z軸導(dǎo)電膜的微電子組件[0061] 具有減小電阻的化合物半導(dǎo)體器件[0062] 一種半導(dǎo)體器件的制造方法[0063] 制造薄膜晶體管的方法及設(shè)備[0064] ＭＩＳ門復(fù)合半導(dǎo)體裝置及其驅(qū)動(dòng)方法以及電源轉(zhuǎn)換裝置[0065] 連接襯底的結(jié)構(gòu)和方法[0066] 半導(dǎo)體組件的制造方法及半導(dǎo)體組件[0067] 形成三阱的方法[0068] PMOSFE及由此制造的CMOS器件[0069] 用于引線連接式芯片的有機(jī)芯片載體[0070] 半導(dǎo)體器件及其裝配方法[0071] 固體攝象器件及其制造方法[0072] 壓電陶瓷組合物[0073] 制造半導(dǎo)體器件的方法[0074] 硅半導(dǎo)體二極管元件和芯片與絕緣****的結(jié)構(gòu)及其制法[0075] 用堆疊集成電路芯片平面陣列的方式來制作單片電子組件的方法[0076] 用于把兩個(gè)集成電路直流上相互隔離的方法和設(shè)備 [0077] 太陽能電池元件組太陽能電池組件及其制造方法[0078] 熱紅外探測(cè)器[0079] 制造掩模只讀存儲(chǔ)器的方法[0080] 具有動(dòng)態(tài)可控閾電壓的MOS晶體管讀出放大器[0081] 光電池、光電池陣列及其組成的電解裝置[0082] 散熱器[0083] 形成半導(dǎo)體器件隔離的方法[0084] 用肉眼檢查半導(dǎo)體器件引線的方法及設(shè)備[0085] 半導(dǎo)體器件制造方法[0086] 快速電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器單元及其制造方法[0087] 半導(dǎo)體器件及其制造方法[0088] 半導(dǎo)體器件[0089] 制造金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法[0090] 用于電子封裝的超薄貴金屬涂層[0091] 氣體傳熱等離子體處理裝置[0092] 制造半導(dǎo)體器件的方法[0093] 光檢測(cè)裝置及其制造方法[0094] 雙極晶體管電路元件[0095] 半導(dǎo)體器件中接觸的形成方法[0096] 用于形成鎢布線的方法 [0097] 限流裝置[0098] 閾值電壓穩(wěn)定的場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法[0099] 利用中溫氧化層去除由離子注入產(chǎn)生的缺陷的方法[0100] 封裝芯片的方法、載體及模具零件[0101] 測(cè)定發(fā)光器件老化的方法及使用該方法的光發(fā)射驅(qū)動(dòng)裝置[0102] 太陽電池裝置[0103] 光電轉(zhuǎn)換器件與圖象讀取器件[0104] 用于制造半導(dǎo)體器件的曝光裝置[0105] 測(cè)量半導(dǎo)體器件結(jié)區(qū)漏電流的方法[0106] 制造半導(dǎo)體器件的方法[0107] 有機(jī)器件的鈍化[0108] 半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法[0109] 半導(dǎo)體器件及其制造方法[0110] 載片及其制造方法和安裝方法[0111] 電路的制造方法[0112] 壓電元件及其制造方法[0113] 利用晶界形成半導(dǎo)體器件中的兩層多晶硅柵極的方法[0114] 半導(dǎo)體器件的制造方法[0115] 形成半導(dǎo)體器件金屬互連的方法[0116] 高升壓比壓電式變壓器 [0117] 半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)及形成該器件外殼的方法[0118] 具有高非離子載流子遷移率有機(jī)材料的應(yīng)用[0119] 用于形成半導(dǎo)體的元件隔離膜的方法[0120] 分析半導(dǎo)體器件的缺陷的方法[0121] 氮化硅電路板[0122] 平板顯示器與集成電路器件的接合方法[0123] 功率半導(dǎo)體模塊[0124] 制作半導(dǎo)體器件中圓筒形疊層電容器的方法[0125] 高速去膠法[0126] 半導(dǎo)體器件及其制造方法[0127] 集成電路的靜電放電防護(hù)電路[0128] 用于以良好生產(chǎn)率密封半導(dǎo)體芯片的模塑模具和用于安裝半導(dǎo)體芯片的引線框架[0129] 形成半導(dǎo)體器件的電荷儲(chǔ)存電極的方法[0130] 表面安裝型發(fā)光二極管[0131] 制造半導(dǎo)體器件電容器的方法[0132] 在半導(dǎo)體器件間設(shè)置隔離的方法[0133] 耗散熱量的半導(dǎo)體器件[0134] 多層混合集成的厚膜電路[0135] 薄膜晶體管及其制造方法[0136] 用于形成半導(dǎo)體裝置的精細(xì)圖形的方法 [0137] 半導(dǎo)體裝置的制造方法[0138] 形成具有淺結(jié)和低薄層電阻半導(dǎo)體器件的方法[0139] 變?nèi)荻䴓O管和制造變?nèi)荻䴓O管的方法[0140] 有最佳靜電放電保護(hù)的輸入/輸出晶體管[0141] 具有埋入觸頭的多層薄膜太陽能電池[0142] 具有至少一個(gè)應(yīng)力釋放端部的壓電/電致伸縮膜元件[0143] 半導(dǎo)體器件及其制造方法[0144] 降低集成電路溫漂和全溫程失調(diào)的修正技術(shù)[0145] 半導(dǎo)體器件及其制造方法[0146] 形成半導(dǎo)體器件的旋涂玻璃膜的方法[0147] 隱埋引線式芯片座及使用該座的芯片封裝[0148] 制造具有精細(xì)接觸孔的半導(dǎo)體器件的方法[0149] 集成電光封裝[0150] 真空層壓設(shè)備和方法[0151] 制造垂直雙極型晶體管的方法[0152] 外延片及其制造方法[0153] 氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件[0154] 連接一個(gè)電子元件的端子到另一個(gè)電子元件的端子的方法[0155] 固態(tài)成像器件及其制造方法[0156] 激光退火方法 [0157] 多孔半導(dǎo)體材料[0158] 單片高頻集成電路結(jié)構(gòu)及其制造方法[0159] 制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法[0160] 能抑制軟差錯(cuò)的電阻負(fù)載型靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元[0161] 陶瓷膜結(jié)構(gòu)體及其制造方法[0162] 發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)[0163] 柵控晶閘管[0164] 具有基板結(jié)構(gòu)的矽半導(dǎo)體整流電橋[0165] 制備半導(dǎo)體器件中的電容器電荷儲(chǔ)存電極的方法[0166] 薄膜太陽能電池[0167] 化學(xué)處理基片的方法和裝置[0168] 半導(dǎo)體器件及其制造方法[0169] 半導(dǎo)體元件互連器件及其制造方法[0170] 封裝引線框架的方法和預(yù)壓坯以及預(yù)壓坯的加工設(shè)備[0171] 制造半導(dǎo)體器件的方法及晶體生長(zhǎng)促進(jìn)劑[0172] 超小型半導(dǎo)體器件及其制造和連接方法[0173] 感離子場(chǎng)效應(yīng)管傳感器的靜電放電保護(hù)[0174] 制造半導(dǎo)體器件中晶體管的方法[0175] 在半導(dǎo)體器件中形成鎢插頭的方法[0176] 橫向型霍爾器件 [0177] 光化學(xué)電池[0178] 半導(dǎo)體器件場(chǎng)氧化層的形成方法[0179] 含有波導(dǎo)和光電接收器件的集成光學(xué)模塊[0180] 靜電放電防護(hù)電路[0181] 被研磨基板的保持裝置基板的研磨裝置及基板的研磨方法[0182] 半導(dǎo)體器件及其制造的方法[0183] 制造半導(dǎo)體器件的方法及實(shí)施該方法的設(shè)備[0184] 存儲(chǔ)器及其制造方法[0185] 隔離柵半導(dǎo)體器件及其制造方法[0186] 化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制備方法[0187] 電子元件的接頭[0188] 半導(dǎo)體器件及其制造方法[0189] 樹脂密封型半導(dǎo)體裝置及其制造方法[0190] 形成半導(dǎo)體器件精細(xì)圖案的方法[0191] 半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制造方法[0192] 制造自裝配微結(jié)構(gòu)的方法[0193] 未封裝半導(dǎo)體芯片的測(cè)試裝置[0194] 帶有電鍍引線的半導(dǎo)體器件的制造方法[0195] 用于生產(chǎn)半導(dǎo)體封裝引線框架的工藝[0196] 金剛石膜上的薄層硅結(jié)構(gòu)芯片材料及其制備方法 [0197] 半導(dǎo)體集成電路器件及其制造工藝[0198] 在半導(dǎo)體器件上形成微細(xì)圖形的方法[0199] 形成半導(dǎo)體器件通孔的方法[0200] 帶有塑料封裝的半導(dǎo)體器件[0201] 表面安裝型發(fā)光二極管[0202] 用鍺進(jìn)行硅/硅鍵合的方法及其制備的硅器件襯底片[0203] 高輸出功率的高頻靜態(tài)感應(yīng)晶體管[0204] 制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法[0205] 器件隔離方法[0206] 光電轉(zhuǎn)換器及其制造方法[0207] 等離子體處理裝置[0208] 半導(dǎo)體基板的表面處理液、用該液的表面處理方法和裝置[0209] 碳化硅與氮化鎵間的緩沖結(jié)構(gòu)及由此得到的半導(dǎo)體器件[0210] 防止焊墊金屬剝離的裝置[0211] 絕緣柵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[0212] 用于半導(dǎo)體器件的引線框組件[0213] 電路裝置及適用于該電路裝置的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管[0214] 制造半導(dǎo)體器件的方法[0215] 用于電子器件封裝中的吸附劑套殼[0216] 用于制造半導(dǎo)體器件的方法 [0217] 半導(dǎo)體器件及其制造[0218] 具有雙溝道的薄膜晶體管及其制造方法[0219] 半導(dǎo)體器件及其制造方法1.本套《形成半導(dǎo)體器件技術(shù)+ZnO基稀磁半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)與性能研究》包含一張pdf圖書或技術(shù)資料光盤（里面有我們獨(dú)家聘請(qǐng)的相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)權(quán)威和技術(shù)專家專業(yè)編寫的5本相關(guān)技術(shù)書籍或技術(shù)資料）及二張配套生產(chǎn)技術(shù)工藝光盤共三張光盤。2.本套《形成半導(dǎo)體器件技術(shù)+ZnO基稀磁半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)與性能研究》訂購(gòu)聯(lián)系電話:150-9568-65813.凡購(gòu)買本套《形成半導(dǎo)體器件技術(shù)+ZnO基稀磁半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)與性能研究》的用戶均可在二年內(nèi)免費(fèi)提供新增加的同類生產(chǎn)技術(shù)工藝相關(guān)內(nèi)容的更新服務(wù)，并根據(jù)您的需要免費(fèi)隨時(shí)發(fā)送給您，真誠(chéng)為您在本領(lǐng)域的研究在技術(shù)方面提供更多的幫助。4.本套《形成半導(dǎo)體器件技術(shù)+ZnO基稀磁半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)與性能研究》因?yàn)槠�，有更多的相關(guān)內(nèi)容不能全部列出。但是我們給您所發(fā)送的貨里則包含全部5本相關(guān)技術(shù)書籍或技術(shù)資料及從1985年至今的更多最新相關(guān)科研成果,聯(lián)系電話:15095686581。'

  本文關(guān)鍵詞：幾種光催化半導(dǎo)體材料的電子結(jié)構(gòu)及相關(guān)性質(zhì)的第一性原理研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。