本文關(guān)鍵詞：一種MEMS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

  更多相關(guān)文章： 電荷泵 MEMS開關(guān) 升壓倍數(shù) SOI Trench工藝

【摘要】：靜電驅(qū)動(dòng)MEMS開關(guān)可靠工作需要較高的驅(qū)動(dòng)電壓,大多數(shù)射頻前端系統(tǒng)很難直接提供,因此需要一種實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換和控制的專用芯片,以滿足MEMS開關(guān)的實(shí)用化需要。基于200 V SOI CMOS工藝設(shè)計(jì)的高升壓倍數(shù)MEMS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路,采用低擊穿電壓的Cockcroft-Walton電荷泵結(jié)構(gòu),結(jié)合特有的Trench工藝使電路的性能大大提高。仿真結(jié)果顯示驅(qū)動(dòng)電路在5 V電源電壓、0.2 pF電容和1 GΩ電阻并聯(lián)負(fù)載下,輸出電壓達(dá)到82.7 V,滿足大多數(shù)MEMS開關(guān)對(duì)高驅(qū)動(dòng)電壓的需要。
【作者單位】： 南京電子器件研究所;東南大學(xué)射頻與光電集成電路研究所;微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;東南大學(xué)集成電路學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 電荷泵 MEMS開關(guān) 升壓倍數(shù) SOI Trench工藝
【基金】：預(yù)研基金項(xiàng)目(9140C14030314OC14004)
【分類號(hào)】：TH-39;TN402
【正文快照】： 近年來(lái),微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)研究得到了迅猛的發(fā)展。作為MEMS的重要分支之一,RF MEMS研究也取得了顯著成果。其中RF MEMS開關(guān)因具有高線性度、高隔離度、低插入損耗的突出優(yōu)點(diǎn),在測(cè)試和通訊系統(tǒng)中極具應(yīng)用價(jià)值[1-5]。RF MEMS開關(guān)的驅(qū)動(dòng)通常包括熱驅(qū)動(dòng)、壓電驅(qū)動(dòng)、靜電驅(qū)動(dòng)等形式,

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前7條

1 喬麗萍;靳釗;;無(wú)源RFID應(yīng)答器的改進(jìn)電荷泵設(shè)計(jì)[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;2011年05期

2 余南;;一種低功耗升壓電荷泵[J];科技傳播;2011年22期

3 曾健平;謝海情;晏敏;曾云;;新型全差分電荷泵設(shè)計(jì)[J];微電子學(xué)與計(jì)算機(jī);2006年07期

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中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

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本文編號(hào)：588620