本文關鍵詞：一種MEMS開關驅動電路的設計

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【摘要】：靜電驅動MEMS開關可靠工作需要較高的驅動電壓,大多數射頻前端系統(tǒng)很難直接提供,因此需要一種實現電壓轉換和控制的專用芯片,以滿足MEMS開關的實用化需要�；�200 V SOI CMOS工藝設計的高升壓倍數MEMS開關驅動電路,采用低擊穿電壓的Cockcroft-Walton電荷泵結構,結合特有的Trench工藝使電路的性能大大提高。仿真結果顯示驅動電路在5 V電源電壓、0.2 pF電容和1 GΩ電阻并聯負載下,輸出電壓達到82.7 V,滿足大多數MEMS開關對高驅動電壓的需要。
【作者單位】： 南京電子器件研究所;東南大學射頻與光電集成電路研究所;微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室;東南大學集成電路學院;
【關鍵詞】： 電荷泵 MEMS開關 升壓倍數 SOI Trench工藝
【基金】：預研基金項目(9140C14030314OC14004)
【分類號】：TH-39;TN402
【正文快照】： 近年來,微機電系統(tǒng)(MEMS)研究得到了迅猛的發(fā)展。作為MEMS的重要分支之一,RF MEMS研究也取得了顯著成果。其中RF MEMS開關因具有高線性度、高隔離度、低插入損耗的突出優(yōu)點,在測試和通訊系統(tǒng)中極具應用價值[1-5]。RF MEMS開關的驅動通常包括熱驅動、壓電驅動、靜電驅動等形式,

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