張江高科技園區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的成功實(shí)踐,堪稱產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)研發(fā)的典范。研究發(fā)現(xiàn),張江集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程包含知識(shí)與技術(shù)的"雙重溢出",企業(yè)也因此積極參與其中。為驗(yàn)證該雙重溢出對(duì)企業(yè)參與的牽引作用,構(gòu)建了創(chuàng)新價(jià)值流動(dòng)GERT網(wǎng)絡(luò)模型(IVF-GERT),以此為理論平臺(tái),分析雙重溢出對(duì)企業(yè)參與產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)研發(fā)的影響;在模型分析基礎(chǔ)上,根據(jù)產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)研發(fā)不同階段以及企業(yè)卷入程度高低,總結(jié)了張江集成電路產(chǎn)業(yè)的"技術(shù)推動(dòng)與平臺(tái)創(chuàng)設(shè)""創(chuàng)新強(qiáng)化與平臺(tái)支撐""創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)與產(chǎn)業(yè)提升"三種企業(yè)參與研發(fā)的有效模式,以供其他地區(qū)或相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展共性技術(shù)作參考。

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圖1雙重溢出牽引下企業(yè)參與集成電路研發(fā)過(guò)程示意圖

雙重溢出即技術(shù)溢出與知識(shí)溢出。張江高科技園區(qū)集成電路發(fā)展過(guò)程中,引進(jìn)的各企業(yè)在芯片設(shè)計(jì)、芯片制造以及封裝測(cè)試領(lǐng)域均具有技術(shù)和信息上的優(yōu)勢(shì),即更高的技術(shù)創(chuàng)新與知識(shí)創(chuàng)新能力,如中芯國(guó)際研制的第一片9英寸0.25微米以下線寬的芯片上線生產(chǎn),使我國(guó)集成電路制造技術(shù)躍升至新臺(tái)階,達(dá)到0.2....

圖2集成電路技術(shù)研發(fā)過(guò)程示意圖

通常可將集成電路研發(fā)過(guò)程劃分為芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試和技術(shù)共享四個(gè)階段,張江的實(shí)踐也與此吻合(如圖2所示)。這種由多主體參與的多階段、多環(huán)節(jié)技術(shù)開發(fā)過(guò)程,具有網(wǎng)絡(luò)化協(xié)作的特點(diǎn),各環(huán)節(jié)的實(shí)現(xiàn)概率具有較大的不確定性(隨機(jī)性),符合隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)(GERT)網(wǎng)絡(luò)特征;同時(shí),該過(guò)程中伴隨....

圖3集成電路研發(fā)創(chuàng)新價(jià)值流動(dòng)GERT網(wǎng)絡(luò)

定義1:集成電路研發(fā)創(chuàng)新價(jià)值流動(dòng)GERT網(wǎng)絡(luò)一般由箭線、節(jié)點(diǎn)和流三個(gè)要素組成,基本構(gòu)成單元如圖3所示。其中,i和j分別表示節(jié)點(diǎn),Uij表示由i到j(luò)的流,pij表示節(jié)點(diǎn)i到節(jié)點(diǎn)j實(shí)現(xiàn)的概率,xij(1),xij(2),?,xij(n)分別表示節(jié)點(diǎn)i到節(jié)點(diǎn)....

圖5制造型企業(yè)引進(jìn)后集成電路研發(fā)技術(shù)創(chuàng)新價(jià)值流動(dòng)GERT網(wǎng)絡(luò)(上)和知識(shí)創(chuàng)新價(jià)值流動(dòng)GERT網(wǎng)絡(luò)(下)

在此局勢(shì)下,張江高科技園區(qū)從重點(diǎn)著手,于2000年成功引進(jìn)了一期投資14.76億美元的中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司和一期投資16.3億美元的宏力半導(dǎo)體制造有限公司,這一過(guò)程如圖5所示。制造型企業(yè)的引進(jìn),在帶來(lái)豐富資源的同時(shí),可極大提高研發(fā)制造階段的技術(shù)、知識(shí)創(chuàng)新能力,該階....

本文編號(hào)：3964107