【摘要】：氮化鎵(GaN)功率電子器件具有優(yōu)異的電學(xué)特性,在高速、高溫和大功率領(lǐng)域具有十分廣闊的應(yīng)用前景,滿足下一代功率管理系統(tǒng)對(duì)高效節(jié)能、小型化和智能化的需求。P型柵和Cascode結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN器件已逐步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,但鑒于這兩種器件結(jié)構(gòu)本身存在的缺點(diǎn),常關(guān)型GaN MOSFET器件方案備受關(guān)注。目前,GaN功率開關(guān)器件主要朝高頻化發(fā)展,封裝形式從直插型(TO)封裝向貼片式(QFN)封裝演變,為進(jìn)一步消除寄生效應(yīng)對(duì)器件高速開關(guān)特性造成的不良影響,驅(qū)動(dòng)和功率器件集成的GaN功率集成電路(IC)技術(shù)被采用,單片集成的全GaN功率IC是未來的發(fā)展方向。
[Abstract]:Gallium nitride (GaN) power electronic devices have excellent electrical properties and have a wide application prospect in high speed, high temperature and high power fields, which can meet the needs of the next generation power management system for high efficiency and energy saving. In order to realize the miniaturization and intelligentization, the constant switch GaN devices with P gate and Cascode structure have been industrialized step by step. However, due to the shortcomings of these two devices, the scheme of GaN MOSFET devices with constant switching has attracted much attention. At present, GaN power switch devices are developing towards high frequency, and the packaging form changes from direct (TO) package to chip type (QFN) package. In order to eliminate the adverse effect of parasitic effect on the high speed switch characteristics of the device, GaN power integrated circuit (IC) technology is used to drive and integrate power devices, and monolithic integrated full GaN power IC is the future development direction.
【作者單位】： 中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院電力電子及控制技術(shù)研究所;
【基金】：國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目(2017YFB0402800) 國家自然科學(xué)基金(U1601210)~~
【分類號(hào)】：TN303

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本文編號(hào)：2335782