【摘要】：氮化鎵(GaN)功率電子器件具有優(yōu)異的電學(xué)特性,在高速、高溫和大功率領(lǐng)域具有十分廣闊的應(yīng)用前景,滿足下一代功率管理系統(tǒng)對高效節(jié)能、小型化和智能化的需求。P型柵和Cascode結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN器件已逐步實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,但鑒于這兩種器件結(jié)構(gòu)本身存在的缺點,常關(guān)型GaN MOSFET器件方案備受關(guān)注。目前,GaN功率開關(guān)器件主要朝高頻化發(fā)展,封裝形式從直插型(TO)封裝向貼片式(QFN)封裝演變,為進一步消除寄生效應(yīng)對器件高速開關(guān)特性造成的不良影響,驅(qū)動和功率器件集成的GaN功率集成電路(IC)技術(shù)被采用,單片集成的全GaN功率IC是未來的發(fā)展方向。
[Abstract]:Gallium nitride (GaN) power electronic devices have excellent electrical properties and have a wide application prospect in high speed, high temperature and high power fields, which can meet the needs of the next generation power management system for high efficiency and energy saving. In order to realize the miniaturization and intelligentization, the constant switch GaN devices with P gate and Cascode structure have been industrialized step by step. However, due to the shortcomings of these two devices, the scheme of GaN MOSFET devices with constant switching has attracted much attention. At present, GaN power switch devices are developing towards high frequency, and the packaging form changes from direct (TO) package to chip type (QFN) package. In order to eliminate the adverse effect of parasitic effect on the high speed switch characteristics of the device, GaN power integrated circuit (IC) technology is used to drive and integrate power devices, and monolithic integrated full GaN power IC is the future development direction.
【作者單位】： 中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院電力電子及控制技術(shù)研究所;
【基金】：國家重點研發(fā)計劃項目(2017YFB0402800) 國家自然科學(xué)基金(U1601210)~~
【分類號】：TN303

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 王賦攀,楊鵬;MOSFET功率開關(guān)器件的散熱計算[J];通信電源技術(shù);2005年01期

2 梁南丁;朱榮花;;大功率變頻裝置主電路及器件的選擇與應(yīng)用[J];機電產(chǎn)品開發(fā)與創(chuàng)新;2009年03期

3 劉玉書,趙忠;IGR——一種新型的功率開關(guān)器件的研制[J];微電子學(xué)與計算機;1986年11期

4 馬文忠,李耀華,孔力;線路諧振對大功率變頻裝置影響的研究[J];電氣傳動;2005年08期

5 ;蘇州納米所GaN/Si功率開關(guān)器件研究獲得重要突破[J];人工晶體學(xué)報;2012年03期

6 趙正平;;GaN功率開關(guān)器件的發(fā)展與微尺度功率變換(續(xù))[J];半導(dǎo)體技術(shù);2014年02期

7 Harold M．Stillman,楊維莉;用于中等電壓的兆瓦級功率開關(guān)器件─—IGCT[J];國外內(nèi)燃機車;1998年05期

8 趙正平;;GaN功率開關(guān)器件的發(fā)展與微尺度功率變換[J];半導(dǎo)體技術(shù);2014年01期

9 王久和;新型功率開關(guān)器件IGCT及其應(yīng)用[J];華北礦業(yè)高等�？茖W(xué)校學(xué)報;2000年03期

10 魏進;姚堯;張波;劉揚;;具有逆向?qū)芰Φ腉aN功率開關(guān)器件[J];電力電子技術(shù);2012年12期

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前2條

1 周琦;碳化硅MOSFET驅(qū)動技術(shù)研究[D];山東大學(xué);2016年

2 劉爽;AlGaN/GaN MIS-HEMT功率開關(guān)器件電學(xué)特牲研究[D];重慶師范大學(xué);2015年

，

本文編號：2335782