發(fā)布時(shí)間：2020-06-24 18:48

【摘要】：NAND閃存因其具有讀寫(xiě)速度高、功耗低、體積小、便于攜帶等諸多優(yōu)勢(shì),目前已經(jīng)被廣泛用于我們生活中的各個(gè)角落。而隨著閃存設(shè)備的集成度越來(lái)越高以及多層單元存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展,閃存中存儲(chǔ)信息受到的干擾也越來(lái)越大。本文從不同的角度探討了提高閃存存儲(chǔ)數(shù)據(jù)可靠性的方法。首先針對(duì)閃存中單元間干擾產(chǎn)生的原因,提出了一種新的編寫(xiě)方法——索引調(diào)制編寫(xiě)方法。該方法對(duì)處于奇字符線的閃存單元逐行進(jìn)行編寫(xiě)操作,之后再對(duì)處于偶字符線的單元采用索引調(diào)制進(jìn)行編寫(xiě)操作。索引調(diào)制將待寫(xiě)入比特序列劃分為兩部分;其中一部分用來(lái)確定該字符線上激活的閃存單元的位置,另一部分用來(lái)確定激活的閃存單元上的電壓狀態(tài)。仿真結(jié)果表明提出的索引調(diào)制編寫(xiě)方法相比于傳統(tǒng)的編寫(xiě)方法性能得到了較大提升并且在一定程度上可以實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的不等錯(cuò)誤保護(hù)。其次針對(duì)閃存中隨機(jī)電報(bào)噪聲和保持過(guò)程噪聲產(chǎn)生的原因,提出了一種編寫(xiě)電壓的優(yōu)化方法。該方法主要是通過(guò)閃存信道模型計(jì)算出閃存存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的誤碼率表達(dá)式,并通過(guò)一維盲人探路優(yōu)化方法對(duì)編寫(xiě)電壓進(jìn)行優(yōu)化。仿真表明經(jīng)過(guò)編寫(xiě)電壓優(yōu)化的閃存信道的誤碼率會(huì)優(yōu)于沒(méi)有進(jìn)行過(guò)編寫(xiě)電壓優(yōu)化的閃存信道。最后針對(duì)閃存信息的長(zhǎng)時(shí)間存儲(chǔ)問(wèn)題,提出了一種讀取電壓優(yōu)化方法。首先通過(guò)平衡編碼的方法使得每種狀態(tài)信息的輸入概率相同,然后根據(jù)閃存信道模型給出的擦除狀態(tài)和各個(gè)編寫(xiě)狀態(tài)的電壓分布函數(shù),計(jì)算閃存整體的電壓分布函數(shù)。然后再根據(jù)平衡編碼得出的動(dòng)態(tài)門(mén)限電壓估計(jì)閃存信息的保持時(shí)間,并通過(guò)相鄰兩種編寫(xiě)狀態(tài)分布函數(shù)相等關(guān)系得出優(yōu)化的讀取電壓。仿真結(jié)果表明通過(guò)本方法的應(yīng)用,閃存在長(zhǎng)時(shí)間存儲(chǔ)信息時(shí)的可靠性得到了大幅度提高。
【學(xué)位授予單位】：西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類(lèi)號(hào)】：TP333
【圖文】：

應(yīng)的存儲(chǔ)模塊，緊接著執(zhí)行 CTX_SWAP 進(jìn)行線程切換，切換到另外一條就緒線程進(jìn)行數(shù)據(jù)處理 在對(duì)系統(tǒng)級(jí)模型仿真之前，初始化 4 個(gè) PE 指令寄存器，如圖 5.2 所示：圖5.2 指令集寄存器配置從上圖可以看出，對(duì) 4 個(gè) PE 的指令寄存器進(jìn)行了初始化，初始化過(guò)程通過(guò) C++的文件句柄和 fscanf()函數(shù)讀入二進(jìn)制指令程序，系統(tǒng)模型的 12 個(gè)端口加載 IP 協(xié)議

圖5.3 SRAM 加載結(jié)果加載（packet loader），向 NP 系統(tǒng)模型的 MAC 模塊導(dǎo)入達(dá)模式，確定下一個(gè)分組到達(dá) MAC 端口的時(shí)間 報(bào)文加uniform） 泊松分布（poisson） 隨機(jī)模式（random）來(lái)模里將時(shí)間間隔 inter 換算成以時(shí)鐘周期 cycle 為單位 下面到達(dá)時(shí)間間隔與 PE 頻率的關(guān)系

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前9條

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本文編號(hào)：2728224