本文關(guān)鍵詞：金摻雜碳納米管薄膜的制備及電學(xué)性能研究

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【摘要】：采用浮動(dòng)催化劑化學(xué)氣相沉積法制備了碳納米管薄膜。通過在碳納米管薄膜表面負(fù)載1層厚度為5nm的金,進(jìn)而利用王水蒸汽進(jìn)行摻雜,CNT薄膜的導(dǎo)電性得到了很大提高(提高幅度達(dá)100%~400%);摻雜后的碳納米管薄膜在空氣下經(jīng)過較長時(shí)間放置后,同初始狀態(tài)相比,導(dǎo)電性仍然能保持在200%以上的增幅,表現(xiàn)了很好的電學(xué)穩(wěn)定性。
【作者單位】： 北京大學(xué)工學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 納米材料與技術(shù) 碳納米管 透明導(dǎo)電薄膜 金
【基金】：高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專項(xiàng)科研基金資助項(xiàng)目(20120001110076)
【分類號(hào)】：TB383.2
【正文快照】： 透明導(dǎo)電薄膜是一種具有較高透光率和導(dǎo)電性的薄膜材料,廣泛應(yīng)用于觸摸屏、太陽電池和液晶顯示器等領(lǐng)域�，F(xiàn)在最為常用的透明導(dǎo)電薄膜是一些金屬氧化物,包括氧化銦錫(ITO)、氟摻雜氧化錫和摻雜氧化鋅等[1],其中ITO是應(yīng)用較為廣泛的透明導(dǎo)電薄膜材料。ITO具有優(yōu)異的導(dǎo)電性和透

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