本文關(guān)鍵詞：半導體制造業(yè)用微納米碳化硅粉體制備工藝研究

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【摘要】：采用水流分級和高能納米沖擊磨對原始SiC粉料進行微納米粉體加工。研究結(jié)果表明:水流分級得到純度98.42%、中位粒徑0.404μm的SiC粉體,比表面積由0.8879m2/g提高到8.0321m2/g;高能沖擊磨得到純度95.5%、中位粒徑0.257μm的SiC粉體,比表面積由0.8879m2/g提高到8.2773m2/g,SiC的粒徑及比表面積達到半導體制造業(yè)用微納米碳化硅粉體的技術(shù)標準。純度分析表明碳化硅粉體的水流分級未引入雜質(zhì),化學成分基本不變;SiC粉體沖擊磨加工純度下降,其他雜質(zhì)含量偏高。粉體形貌分析表明原始SiC粉料形貌為非球形,粒度分布不均勻,水流分級和沖擊磨加工碳化硅粉體形貌為非球形,粒度分布較加工前更均勻。
【作者單位】： 青海大學新能源光伏產(chǎn)業(yè)研究中心;
【關(guān)鍵詞】： 微納米碳化硅粉體 粒徑分布 水流分級 沖擊磨
【基金】：青海省重點實驗室發(fā)展專項資金(2014-Z-Y31;2015-Z-Y02)
【分類號】：TQ163.4;TB383.3
【正文快照】： *青海省重點實驗室發(fā)展專項資金(2014-Z-Y31;2015-Z-Y02)鐵健:男,1990年生,碩士生,主要從事粉體材料研究E-mail:qhutiejian@163.com鐵生年:通訊作者,男,1965年生,教授,主要從事新能源材料研究E-mail:tieshengnian@163.com0引言SiC具有抗氧化性強、高溫強度大、耐磨損性好、熱

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本文編號：906725