發(fā)布時(shí)間：2017-09-16 11:05

  本文關(guān)鍵詞：加磁場(chǎng)對(duì)GZO薄膜結(jié)構(gòu)及光電性能的影響

  更多相關(guān)文章： 外加磁場(chǎng) 磁控濺射 GZO薄膜 晶體結(jié)構(gòu) 光電性能

【摘要】：采用射頻磁控濺射法在玻璃基底上制備了Ga摻雜ZnO(GZO)薄膜,在傳統(tǒng)磁控濺射系統(tǒng)中引入外加磁場(chǎng),探究了磁場(chǎng)強(qiáng)度變化對(duì)GZO薄膜晶體結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。結(jié)果表明:所制得的GZO薄膜結(jié)構(gòu)均為六角纖鋅結(jié)構(gòu)且在[002]方向沿C軸擇優(yōu)取向;外加磁場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)薄膜的光電性能具有較大影響,在可見光范圍內(nèi),薄膜的平均透光率超過93%,并出現(xiàn)了Moss-Burstein效應(yīng);薄膜的電學(xué)性能得到提升,其電阻率從4.96×10~(-3)Ω·cm降至3.17×10~(-4)Ω·cm,霍爾遷移率從7.36 cm~2·V~(-1)·S~(-1)增至9.53 cm~2·V~(-1)·S~(-1)。
【作者單位】： 上海工程技術(shù)大學(xué)材料工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 外加磁場(chǎng) 磁控濺射 GZO薄膜 晶體結(jié)構(gòu) 光電性能
【基金】：上海工程技術(shù)大學(xué)研究生科研創(chuàng)新項(xiàng)目(14KY0512)
【分類號(hào)】：TB383.2
【正文快照】： (Received 4 August 2015,accepted 9 September 2015)1引言科技的進(jìn)步使得輕薄顯示面板成為發(fā)展的趨勢(shì),透明導(dǎo)電薄膜(TCO)作為顯示面板元件的重要組成部分,也成為近年來薄膜材料研究的熱點(diǎn)。高質(zhì)量的TCO薄膜須在可見光范圍內(nèi)具有較高的光學(xué)性能(透過率大于80%)及良好的導(dǎo)電性

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本文編號(hào)：862655