本文關(guān)鍵詞：三維a-IGZO薄膜中的電子—電子散射

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【摘要】：本文利用射頻磁控濺射法制備了一系列厚度約800 nm的非晶銦鎵鋅氧化物(a-IGZO)薄膜,并對其電輸運性質(zhì)和低溫的電子退相干機理進行了系統(tǒng)的研究.研究發(fā)現(xiàn),所有a-IGZO薄膜中,載流子濃度均不隨溫度變化,高溫區(qū)的電阻-溫度系數(shù)為正,說明樣品具有類金屬導電特性.通過對薄膜低溫磁電阻的測量,獲得了電子退相干散射率與溫度的關(guān)系.分析表明,薄膜中電子-聲子散射率遠小于小能量轉(zhuǎn)移電子-電子散射率,小能量轉(zhuǎn)移電子-電子散射率主導電子退相干散射率與溫度的依賴關(guān)系.
【作者單位】： 天津大學理學院天津市低維功能材料物理與制備技術(shù)重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 電子散射 弱局域效應(yīng) 電子輸運性質(zhì)
【基金】：國家自然科學基金(批準號:11174216) 高等學校博士學科點專項科研基金(批準號:20120032110065)資助的課題~~
【分類號】：O484
【正文快照】： 1引言 在無序?qū)w中,電子退相干過程是一個至關(guān)重要且十分有趣的問題,一直以來受到人們的廣泛關(guān)注[1-7].電子的退相干機理與體系的維度、無序度和測量溫度有關(guān)[1-3].一般來講,在三維弱無序?qū)w中電子-聲子散射為主要的退相干散射過程[3-5];當維度降低時,小能量轉(zhuǎn)移電子-電子

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中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 向永壽;電子-位錯散射對金屬低溫下電子-電子散射電阻率ρee(T)的重要貢獻[J];重慶師范學院學報(自然科學版);1991年01期

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本文編號：819413