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界面聚合法制備聚吡咯薄膜及其增長機理研究

發(fā)布時間:2017-09-05 12:06

  本文關(guān)鍵詞:界面聚合法制備聚吡咯薄膜及其增長機理研究


  更多相關(guān)文章: 聚吡咯 界面聚合法 相轉(zhuǎn)移催化劑 增長機理 比電容


【摘要】:導(dǎo)電聚合物聚吡咯具有成本低、環(huán)境友好、容量高和安全性高等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于超級電容器電極材料、電磁屏蔽和金屬防腐等技術(shù)領(lǐng)域。目前關(guān)于聚吡咯聚合方法的研究很多,但是聚吡咯增長機理的研究卻較少。因此探索聚吡咯薄膜的增長機理并尋求恰當(dāng)?shù)木酆蠗l件與方法是很有必要的。本文采用界面聚合法制備聚吡咯薄膜,在0℃條件下,引入相轉(zhuǎn)移催化劑(PTC),通過對聚吡咯各項性能的表征,研究界面聚合聚吡咯薄膜水、油兩相增長機理,解釋水相典型形態(tài)珊瑚狀聚吡咯的增長機理,并針對聚吡咯在油相的增長過程,提出基于缺陷尺寸控制下的成核增長方式。同時,添加二元非離子型表面活性劑,改變濃度和配比調(diào)節(jié)相界面表面活性,研究其對聚吡咯形貌及性能影響。研究表明:吡咯單體在水相中成核并增長成為顆粒狀聚吡咯之后,由于其密度大于水的密度而小于氯仿,在界面處會發(fā)生沉積。繼而顆粒在界面發(fā)生二次增長,出現(xiàn)顆粒之間“橋接”時,會在“橋接”之后繼續(xù)進行二次增長,實現(xiàn)顆粒在界面處的“融合”,形成二維網(wǎng)狀的聚吡咯顆粒堆積,并最終成長為完整的聚吡咯薄膜。近油相一側(cè),當(dāng)不添加PTC時,得到的聚吡咯薄膜比較光滑。隨著PTC引入并不斷增加其濃度,聚吡咯薄膜出現(xiàn)清晰的“凸起”結(jié)構(gòu),進而演變?yōu)榕轄罱Y(jié)構(gòu)。當(dāng)PTC通過兩相界面的“微通道”時,夾帶氧化劑Fe3+吹入油相形成微泡,繼而誘發(fā)吡咯單體以微泡為軟模板,進行聚合;隨著PTC用量增大,囊泡不斷地被吹大,導(dǎo)致破裂,囊泡結(jié)構(gòu)變得不完整,膜表面形成多層結(jié)構(gòu)。二元非離子型表面活性劑復(fù)配,在電化學(xué)性能方面加和增效作用并不突出,但顯著改變了聚吡咯微觀形貌。在親水親油平衡值(HLB)值較低時,聚吡咯顆粒相互纏結(jié)交織在一起,形成孔洞型三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu);隨著HLB值的增加,聚吡咯顆粒變得更加均勻和蓬松,直到形成后來的類“水藻”結(jié)構(gòu)。電化學(xué)測試發(fā)現(xiàn),當(dāng)復(fù)配表面活性劑添加量為1.23g/L Span-80和0.77g/L OP-10,體系HLB值為8.0時,可以獲得具有最佳比電容值(112.57F/g)的聚吡咯膜,其微觀形貌規(guī)整,孔徑較小呈孔洞型三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu);添加1.12g/L Span-80和1.88g/L Tween-80,HLB值為11.0時,則可以制備顆粒之間相互連接緊密,相互纏結(jié),呈水藻結(jié)構(gòu),比電容值為100.72F/g的聚吡咯膜。
【關(guān)鍵詞】:聚吡咯 界面聚合法 相轉(zhuǎn)移催化劑 增長機理 比電容
【學(xué)位授予單位】:西安科技大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:TQ316.33;TB383.2
【目錄】:
  • 摘要2-4
  • Abstract4-8
  • 1 緒論8-20
  • 1.1 導(dǎo)電聚合物概況8-10
  • 1.1.1 導(dǎo)電聚合物定義與分類8
  • 1.1.2 導(dǎo)電聚合物應(yīng)用現(xiàn)狀與研究方向8-10
  • 1.2 導(dǎo)電聚吡咯概述10-13
  • 1.2.1 聚吡咯結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電機理10-11
  • 1.2.2 聚吡咯合成方法11-13
  • 1.3 界面聚合13-15
  • 1.3.1 界面聚合原理13-14
  • 1.3.2 界面聚合影響因素14-15
  • 1.4 表面活性劑15-17
  • 1.4.1 表面活性劑的選擇15-16
  • 1.4.2 表面活性劑的復(fù)配16-17
  • 1.5 聚吡咯增長機理17-18
  • 1.5.1 聚吡咯增長機理研究現(xiàn)狀17-18
  • 1.5.2 表面活性劑輔助下聚吡咯增長機理研究18
  • 1.6 課題研究意義及內(nèi)容18-20
  • 1.6.1 課題研究意義18-19
  • 1.6.2 課題研究內(nèi)容19-20
  • 2 聚吡咯薄膜增長機理的研究20-37
  • 2.1 實驗藥品與儀器20-21
  • 2.2 實驗部分21-23
  • 2.2.1 吡咯預(yù)處理21
  • 2.2.2 溶液配置21-22
  • 2.2.3 實驗反應(yīng)裝置22
  • 2.2.4 電極的制備過程22-23
  • 2.3 表征方法和性能測試23-24
  • 2.3.1 光譜分析23
  • 2.3.2 表面形貌觀察23
  • 2.3.3 熱重分析23
  • 2.3.4 電化學(xué)性能測試23-24
  • 2.4 實驗結(jié)果與分析24-36
  • 2.4.1 紅外光譜分析24-25
  • 2.4.2 紫外光譜分析25-27
  • 2.4.3 微觀形貌分析27-33
  • 2.4.4 熱穩(wěn)定分析33-34
  • 2.4.5 電化學(xué)分析34-36
  • 2.5 本章小結(jié)36-37
  • 3 二元非離子表面活性劑復(fù)配體系對界面聚合聚吡咯的影響37-51
  • 3.1 實驗藥品與儀器37
  • 3.2 實驗部分37-40
  • 3.2.1 實驗配方38-40
  • 3.2.2 實驗操作40
  • 3.3 實驗結(jié)果與分析40-49
  • 3.3.1 紅外光譜圖分析40-41
  • 3.3.2 微觀形貌分析41-45
  • 3.3.3 比電容分析45-49
  • 3.3.4 阻抗分析49
  • 3.4 本章小結(jié)49-51
  • 4 結(jié)論51-53
  • 致謝53-54
  • 參考文獻54-58
  • 附錄58

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 冷波,葛樹琴,劉紅波;聚吡咯的合成及電流變性能的研究[J];材料開發(fā)與應(yīng)用;2002年02期

2 黃美榮,王健,李新貴;聚吡咯衍生物的合成及液晶性能[J];高分子通報;2003年04期

3 葛東濤,王紀(jì)孝,王世昌;聚吡咯納米線(管)的合成[J];化學(xué)進展;2003年06期

4 陳泳,唐威,朱緒飛;合成工藝對聚吡咯電導(dǎo)率及可溶性的影響[J];化工時刊;2003年11期

5 王九,黃偉九,陳波水,晏華,李曉東;聚吡咯在幾種連續(xù)介質(zhì)中的電流變效應(yīng)[J];機械工程材料;2004年10期

6 李永舫;導(dǎo)電聚吡咯的研究[J];高分子通報;2005年04期

7 程賢u&,林音,林俊鴻,潘德源;化學(xué)聚合法制備電容器用聚吡咯[J];四川大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2005年S1期

8 莫尊理;左丹丹;陳紅;孫銀霞;張平;;納米石墨薄片/聚吡咯復(fù)合材料的制備及導(dǎo)電性能[J];無機化學(xué)學(xué)報;2007年02期

9 王杰;徐友龍;陳曦;杜顯鋒;李喜飛;;電化學(xué)法制備高密度導(dǎo)電聚吡咯的性能研究[J];物理學(xué)報;2007年07期

10 周媛媛;余e,

本文編號:797859


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