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退火處理對ZnO薄膜壓敏性能的影響

發(fā)布時間:2017-08-23 21:09

  本文關鍵詞:退火處理對ZnO薄膜壓敏性能的影響


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【摘要】:采用射頻磁控濺射技術在Si(111)襯底上生長ZnO基陶瓷薄膜,分別在650℃,750℃,850℃和900℃下退火,研究了退火溫度對ZnO基陶瓷薄膜壓敏性能的影響。結果表明,隨著退火溫度的升高,薄膜的壓敏電壓逐漸增大,非線性系數先增大后減小,漏電流密度先減小后增大。850℃退火處理后的薄膜具有較為理想的綜合電性能,其非線性系數為14.93,壓敏電壓為4.82 V,漏電流密度為0.36μA/mm~2。
【作者單位】: 江蘇大學機械工程學院;
【關鍵詞】無機非金屬材料 ZnO基陶瓷薄膜 射頻磁控濺射 退火溫度
【分類號】:TB383.2
【正文快照】: ZnO薄膜電阻具有高非線性系數、低漏電流和高浪涌吸收能力等優(yōu)點,在上世紀七十年代已經應用在電器設備的高壓防護方面,如抑制電力系統(tǒng)防雷過電壓和操作過電壓等領域[1_5]。近年來,隨著電子計算機、家用電器、通訊技術、汽車電子工業(yè)、超大規(guī)模集成電路等方面的發(fā)展,各種電子元

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本文編號:727308

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