本文關(guān)鍵詞：磁控濺射法制備鉬薄膜的研究現(xiàn)狀

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【摘要】：綜述了基底表面狀態(tài)和預(yù)熱溫度,靶材組織和熱處理溫度,濺射工藝參數(shù)(包括時(shí)間、功率、氣壓和靶基距),以及后續(xù)退火熱處理對(duì)磁控濺射制備的Mo薄膜組織及性能的影響。
【作者單位】： 河南科技大學(xué);鄭州大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 鉬 薄膜 磁控濺射 制備條件 微觀組織 性能
【分類號(hào)】：TG146.412;TB383.2
【正文快照】： 薄膜技術(shù)己經(jīng)滲透到現(xiàn)代科技和國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)重要領(lǐng)域,尤其是在航天航空、光學(xué)、能源、交通、通信等領(lǐng)域;在高新技術(shù)產(chǎn)業(yè),薄膜技術(shù)和薄膜材料也占據(jù)極其重要的一席之地[1]。目前,磁控濺射法是最為常用的薄膜材料的制備方法。磁控派射鍍膜法是在二極濺射法的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的,

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