發(fā)布時(shí)間：2017-07-20 14:25

  本文關(guān)鍵詞：氫退火對(duì)LPCVD生長(zhǎng)的ZnO薄膜光學(xué)和電學(xué)性能的影響

  更多相關(guān)文章： 低壓化學(xué)氣相沉積 ZnO薄膜 光學(xué)性能 載流子濃度 霍爾遷移率

【摘要】：采用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)在玻璃襯底上制備了B摻雜ZnO(BZO)薄膜,研究了氫氣氣氛退火對(duì)BZO薄膜光學(xué)性能和電學(xué)性能的影響。結(jié)果表明:在氫氣氣氛下退火后,BZO薄膜的物相結(jié)構(gòu)和透光率基本無變化,但BZO薄膜的導(dǎo)電能力卻明顯提高。Hall測(cè)試結(jié)果表明:在氫氣下退火時(shí)載流子濃度基本保持不變,但遷移率卻明顯提高。實(shí)驗(yàn)結(jié)果可為進(jìn)一步提高BZO薄膜的光學(xué)電學(xué)綜合性能提供借鑒。
【作者單位】： 江西科技學(xué)院協(xié)同創(chuàng)新中心;江西科技學(xué)院管理學(xué)院;浙江正泰太陽能科技有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 低壓化學(xué)氣相沉積 ZnO薄膜 光學(xué)性能 載流子濃度 霍爾遷移率
【基金】：江西科技學(xué)院博士科研啟動(dòng)基金 “863”國(guó)家高技術(shù)發(fā)展計(jì)劃(2012AA052401) 國(guó)家自然科學(xué)基金(21571095)資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：O484
【正文快照】： 1引言近年來,透明導(dǎo)電氧化物(TCO)作為透明電極在薄膜太陽能電池[1-3]、異質(zhì)結(jié)太陽能電池[4]、染料敏化太陽能電池[5]及有機(jī)太陽能電池[6]中得到了廣泛研究和應(yīng)用,并為薄膜太陽能電池成本降低及市場(chǎng)推廣發(fā)揮了重要作用。作為電極窗口材料,TCO必須具有高的導(dǎo)電能力,以保證光生

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫 前7條

1 翟冬青,李洪鑫,李彥波;LPCVD半絕緣多晶硅的性質(zhì)和應(yīng)用研究[J];河北大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);1984年02期

2 程開富;熱壁LPCVD多晶硅膜的質(zhì)量分析[J];電子工業(yè)專用設(shè)備;1998年04期

3 傅廣生,李曉葦,韓理,張連水,董麗芳,呂福潤(rùn),薛春銀;OLD診斷SiH_4的LPCVD動(dòng)力學(xué)過程[J];量子電子學(xué);1987年01期

4 傅廣生,董麗芳,李曉葦,韓理,張連水,呂福潤(rùn);TEA CO_2激光誘發(fā)SiH_4等離子體發(fā)光動(dòng)力學(xué)研究[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1990年03期

5 王季陶;低壓化學(xué)蒸汽淀積(LPCVD)的計(jì)算機(jī)模擬通式[J];自然雜志;1981年01期

6 程萍;張玉明;郭輝;張義門;廖宇龍;;LPCVD法制備的高純半絕緣4H-SiC晶體ESR譜特性[J];物理學(xué)報(bào);2009年06期

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中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 胡淑芬;;LPCVD in-situ Growth of Silicon Quantum Dots in Si_3N_4[A];中國(guó)顆粒學(xué)會(huì)第七屆學(xué)術(shù)年會(huì)暨海峽兩岸顆粒技術(shù)研討會(huì)論文集[C];2010年

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本文編號(hào)：568505