本文關(guān)鍵詞：方波脈沖下納米氧化鋁摻雜對(duì)聚酰亞胺表面放電特性影響

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【摘要】：聚酰亞胺薄膜(polyimide,PI)以其卓越的介電性能廣泛應(yīng)用于變頻電機(jī)匝間絕緣,納米摻雜能改善PI膜的絕緣性能。為研究方波條件下納米Al_2O_3對(duì)PI膜表面放電特性的影響,文中將粒徑為60nm的Al_2O_3納米粒子作為無機(jī)填料添加到PI基體中,制作了摻雜量為1%,2%,5%,7%,10%的PI薄膜。測(cè)量了PI/Al_2O_3薄膜耐電暈性能和局部放電次數(shù)隨溫度的變化,用掃描電鏡(scanning electron microscope,SEM)觀察了放電前后PI/Al_2O_3薄膜微觀形貌。利用傅里葉紅外光譜(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)測(cè)試了復(fù)合薄膜老化前后的化學(xué)鍵情況。研究結(jié)果表明:納米Al_2O_3在PI基體中彌散分布,PI/Al_2O_3復(fù)合薄膜的紅外吸收峰與純PI膜基本一致,但吸收峰深度有所加強(qiáng)。老化4h后PI/Al_2O_3分子鏈上的C-O-C(醚鍵)以及C-N-C(酰亞胺環(huán))消失,其余化學(xué)鍵吸收峰有所減弱;Al_2O_3納米粒子的摻入提高了復(fù)合薄膜的耐電暈性能并減少了局部放電次數(shù)。并且溫度的上升會(huì)導(dǎo)致局部放電次數(shù)減少。表面放電導(dǎo)致的化學(xué)鍵斷裂是復(fù)合薄膜降解的主要原因,納米粒子所引入的兩相界面以及其優(yōu)良的導(dǎo)熱性能提高了復(fù)合薄膜的絕緣性能。
【作者單位】： 西南交通大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： PI/AlO復(fù)合薄膜 電暈老化 傅里葉紅外光譜分析 局部放電 掃描電鏡分析 降解
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51177136) 國家杰出青年基金(51325704)~~
【分類號(hào)】：TB383.2
【正文快照】： analysis of Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR);partial discharge;analysis of scanning electron microscope(SEM);degradation0引言近年來,高速動(dòng)車組核心技術(shù)已經(jīng)做到完全國產(chǎn)化,國內(nèi)研制的動(dòng)車組已經(jīng)出口到海外多個(gè)國家[1]。高速動(dòng)車組車載核心設(shè)備是變頻

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