電子束蒸發(fā)技術(shù)中,電子束流和襯底溫度將顯著影響薄膜生長過程及其性能。研究了核心工藝參數(shù)電子束流和襯底溫度對MgF₂薄膜光學(xué)性能的影響與規(guī)律,結(jié)果顯示提高電子束流和襯底溫度均可導(dǎo)致其折射率和色散率的增大、反射率的降低。改變上述工藝參數(shù)均可實現(xiàn)對其折射率、色散率及反射率的調(diào)制。由于襯底溫度對色散率的影響較為顯著,因此改變襯底溫度對其折射率的調(diào)制更加有效。MgF₂薄膜折射率變化對多層膜的反射率有較強影響,調(diào)節(jié)沉積MgF₂時的工藝參數(shù)有助于降低多層減反射膜的平均反射率。

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【文章目錄】：
引言
1 實驗
2 分析與討論
    2.1 晶體結(jié)構(gòu)
    2.2 折射率和色散
    2.3 反射譜分析
3 結(jié)論



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