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襯底溫度對(duì)脈沖激光沉積法制備的CuO薄膜性能的影響

發(fā)布時(shí)間:2023-10-28 20:03
  通過脈沖激光沉積的方法在玻璃襯底上制備CuO薄膜,并研究了襯底溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu),光學(xué)以及電學(xué)性能的影響。結(jié)果表明:在不同襯底溫度下得到的薄膜均為CuO,并且在紅外區(qū)域,薄膜的透過率均高于65%。溫度升高到300℃,具有較高的結(jié)晶質(zhì)量和紅外光透過率,薄膜的電學(xué)性能也隨之變好,出現(xiàn)最低電阻(2.33×102Ωcm),較高的載流子濃度5.28×10161/cm3。最重要的是在500℃時(shí)氧化銅實(shí)現(xiàn)了由p型向n型的轉(zhuǎn)變。

【文章頁(yè)數(shù)】:4 頁(yè)

【文章目錄】:
1 試驗(yàn)材料與方法
2 結(jié)果與討論
    2.1 XRD分析
    2.2 透射光譜分析
    2.3 XPS分析
    2.4 Hall分析
3 結(jié)論



本文編號(hào):3857685

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