目前,偏振探測(cè)技術(shù)已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。當(dāng)一束偏振光,經(jīng)過(guò)物體表面發(fā)生反射或者散射后,其偏振態(tài)會(huì)發(fā)生變化,這種變化由目標(biāo)自身的性質(zhì)決定,在偏振探測(cè)技術(shù)中利用Mueller矩陣來(lái)描述這種變化。薄膜是一類重要的材料,在光學(xué)、光電子、微電子等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用,目前人們也將Mueller矩陣應(yīng)用到薄膜技術(shù)中,用來(lái)研究薄膜材料的偏振特性及光學(xué)參數(shù)。因此本文基于Mueller矩陣研究了薄膜偏振特性與薄膜厚度之間的關(guān)系,具體工作如下:1、根據(jù)電磁場(chǎng)邊界條件和多光束干涉原理,分析了光波在各向同性薄膜和各向異性薄膜上的反射,得到薄膜的反射系數(shù)和反射率解析表達(dá)式,進(jìn)而獲得薄膜反射Mueller矩陣的表達(dá)式,理論模擬了硅基Zn O薄膜Mueller矩陣與膜厚的關(guān)系。2、采用多旋轉(zhuǎn)式Mueller矩陣測(cè)量裝置,分別測(cè)量了不同厚度的硅基底TiO₂薄膜、Zn O薄膜、In摻雜Zn O薄膜(IZO)、Ga摻雜Zn O薄膜(GZO)以及Ga-Al共摻Zn O薄膜(GAZO)的Mueller矩陣,分析了五種薄膜Mueller矩陣各分量隨膜厚變化的情況,研究了它們的退偏振能力、起偏能力和雙向衰減能力與膜...

【文章頁(yè)數(shù)】：51 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 本文的研究背景以及研究意義
    1.2 Mueller矩陣國(guó)內(nèi)外的研究現(xiàn)狀
        1.2.1 國(guó)外Mueller矩陣技術(shù)的研究現(xiàn)狀
        1.2.2 國(guó)內(nèi)Mueller矩陣技術(shù)的研究現(xiàn)狀
    1.3 Mueller矩陣在薄膜技術(shù)中的應(yīng)用
    1.4 本文的主要研究?jī)?nèi)容與結(jié)構(gòu)安排
2 偏振光學(xué)理論基礎(chǔ)
    2.1 偏振光的數(shù)學(xué)描述
        2.1.1 電矢量法
        2.1.2 Jones矢量表示法
        2.1.3 Stokes矩陣表示法
        2.1.4 龐加球表示法
    2.2 偏振器件的分析方法
        2.2.1 Jones矩陣表述
        2.2.2 Mueller矩陣表述
        2.2.3 偏振器件的Mueller矩陣
    2.3 Mueller矩陣的偏振特性
    2.4 本章小結(jié)
3 薄膜界面反射特性
    3.1 光波在介質(zhì)表面的反射
    3.2 光波在薄膜介質(zhì)上的反射
    3.3 光在薄膜表面反射偏振態(tài)的改變
    3.4 本章小結(jié)
4 薄膜偏振特性的研究
    4.1 Mueller矩陣的測(cè)量方法
    4.2 薄膜Mueller矩陣的測(cè)量
        4.2.1 薄膜Mueller矩陣測(cè)量結(jié)果
        4.2.2 薄膜厚度對(duì)Mueller矩陣元素的影響
    4.3 薄膜偏振特性分析
    4.4 本章小節(jié)
5 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表學(xué)術(shù)論文情況
致謝



本文編號(hào)：3817026