發(fā)布時間：2023-05-08 05:08

　　近年來,由于原子層級的厚度,范德瓦爾斯力堆疊和表面無化學懸掛鍵等特性,二維材料展現(xiàn)出了一系列獨特的物理性質(zhì),因此引起了廣大研究者的關(guān)注。到目前為止,已發(fā)現(xiàn)的二維材料包括石墨烯,過渡金屬硫?qū)倩衔?TMDs),黑磷,氮化硼等等。二維材料的結(jié)構(gòu)和電子多樣性的出現(xiàn)為探索新奇的物理現(xiàn)象和內(nèi)在機制提供了一個理想的研究平臺。在眾多二維材料中,TMDs由于其良好的化學穩(wěn)定性、高載流子遷移率和層數(shù)依賴的可調(diào)帶隙成為各類光電子器件的理想材料。其中,二硫化鉬(MoS₂)是目前TMDs中研究最為廣泛的二維材料,其塊體材料為1.2 eV的間接帶隙半導體,層數(shù)減少至單層時,轉(zhuǎn)變?yōu)?.9 eV直接帶隙半導體。另外,作為新發(fā)現(xiàn)的貴金屬TMDs,二硒化鉑(PtSe₂)具有更寬的可調(diào)帶隙,其單層帶隙為1.2 eV,雙層帶隙為0.21 eV,塊體材料為零帶隙的半金屬。這些具有寬可調(diào)帶隙的二維TMDs材料是制備紅外光電探測器的理想材料。因此,研究人員已經(jīng)研制出具有不同器件結(jié)構(gòu)、工作在不同波段的二維TMDs的光電探測器,并顯示出了優(yōu)異的探測性能。雖然二維材料及其光電探測器擁有眾多優(yōu)...

【文章頁數(shù)】：79 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 二維納米材料簡介
    1.2 二維過渡金屬硫?qū)倩衔?br>        1.2.1 二維MoS₂ 薄膜的性質(zhì)
        1.2.2 二維PtSe₂ 薄膜的性質(zhì)
    1.3 基于二維材料的紅外光電探測器
        1.3.1 基于二維MoS₂ 薄膜的紅外光電探測器
        1.3.2 基于二維PtSe₂ 薄膜的紅外光電探測器
    1.4 本論文的研究目的和內(nèi)容
2 二維過渡金屬硫族化物薄膜的制備與表征
    2.1 二維納米材料的制備方法
    2.2 二維MoS₂ 薄膜的制備和表征
        2.2.1 實驗所用儀器和試劑
        2.2.2 大面積二維MoS₂ 薄膜的制備
        2.2.3 二維MoS₂薄膜的表征
    2.3 二維PtSe₂薄膜的制備與表征
        2.3.1 實驗所用儀器和試劑
        2.3.2 大面積二維PtSe₂薄膜的制備
        2.3.3 二維PtSe₂薄膜的表征
    2.4 本章小結(jié)
3 MoS₂/CdTe異質(zhì)結(jié)紅外光電探測器的設(shè)計及性能研究
    3.1 引言
    3.2 測試所用主要儀器
    3.3 光電探測器性能表征
    3.4 MoS₂/CdTe異質(zhì)結(jié)紅外光電探測器的制備
    3.5 MoS₂/CdTe異質(zhì)結(jié)紅外光電探測器的性能表征
    3.6 本章小結(jié)
4 PtSe₂/CdTe異質(zhì)結(jié)紅外光電探測器的設(shè)計及性能研究
    4.1 引言
    4.2 PtSe₂/CdTe異質(zhì)結(jié)紅外光電探測器的制備
    4.3 PtSe₂/CdTe異質(zhì)結(jié)紅外光電探測器的性能表征
    4.4 本章小結(jié)
5 總結(jié)與展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻
個人簡歷及研究生期間的成果
    個人簡歷
    參與的科研項目及學術(shù)會議
    碩士期間發(fā)表論文
    申請發(fā)明專利
    獲獎情況
致謝



本文編號：3812051