Ag@AgI/Ni薄膜的制備及其模擬太陽(yáng)光催化性能
發(fā)布時(shí)間:2023-04-29 04:45
采用電化學(xué)方法制備Ag@AgI/Ni表面等離子體薄膜催化劑,使用掃描電鏡(SEM),X射線衍射(XRD)和紫外-可見(jiàn)漫反射光譜(UV-Vis DRS)對(duì)薄膜的表面形貌、晶體結(jié)構(gòu)、光譜特性以及能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析表征,在模擬太陽(yáng)光照射下,把羅丹明B作為模擬污染物對(duì)薄膜的光催化活性與穩(wěn)定性進(jìn)行評(píng)價(jià),采用向反應(yīng)體系中加入活性物種捕獲劑的方法對(duì)薄膜光催化機(jī)理進(jìn)行探究。結(jié)果表明:最佳工藝下制備的Ag@AgI/Ni薄膜表面是由附著少量Ag粒子的AgI納米晶構(gòu)成。薄膜具有顯著的表面等離子共振作用、優(yōu)異的光催化活性和突出的光催化穩(wěn)定性。光催化反應(yīng)60 min,薄膜對(duì)羅丹明B的降解率(81.1%)是AgI/Ni薄膜的1.35倍,是TiO2(P25)/ITO薄膜的1.61倍。在薄膜光催化活性基本保持不變的前提下可循環(huán)使用5次。薄膜表面納米Ag的等離子共振對(duì)光陰極反應(yīng)的活化是光催化性能提高的重要原因。提出了薄膜光催化降解羅丹明B的反應(yīng)機(jī)理。
【文章頁(yè)數(shù)】:8 頁(yè)
【文章目錄】:
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)部分
1.1 Ag@Ag I/Ni薄膜的制備
1.2 參考薄膜的制備
1.3 薄膜表征
1.4 光催化實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
2.1 薄膜的SEM和EDS表征
2.2 薄膜的XRD測(cè)定
2.3 薄膜的DRS分析
2.4 光沉積時(shí)間對(duì)薄膜光催化活性的影響
2.5 不同薄膜光催化活性的比較
2.6 薄膜光催化穩(wěn)定性
2.7 薄膜光催化反應(yīng)機(jī)理
3 結(jié)論
本文編號(hào):3805192
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0 引言
1 實(shí)驗(yàn)部分
1.1 Ag@Ag I/Ni薄膜的制備
1.2 參考薄膜的制備
1.3 薄膜表征
1.4 光催化實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
2.1 薄膜的SEM和EDS表征
2.2 薄膜的XRD測(cè)定
2.3 薄膜的DRS分析
2.4 光沉積時(shí)間對(duì)薄膜光催化活性的影響
2.5 不同薄膜光催化活性的比較
2.6 薄膜光催化穩(wěn)定性
2.7 薄膜光催化反應(yīng)機(jī)理
3 結(jié)論
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