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退火溫度對PECVD法制備SiO 2 /Si 3 N 4 光學(xué)薄膜性能的影響

發(fā)布時間:2023-03-26 21:13
  基于多層光學(xué)薄膜的基本原理及算法,采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積方法在GaAs襯底上制備SiO2/Si3N4雙層減反射膜,通過原子力顯微鏡(AFM)、傅里葉變換紅外光譜儀(FT-IR)、橢圓偏振儀、X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜分析(XPS)、紫外-可見分光光度計對薄膜的形貌、結(jié)構(gòu)及光學(xué)性能進(jìn)行表征,研究不同退火溫度對薄膜性能的影響。結(jié)果表明:退火前后薄膜均為結(jié)晶態(tài);隨著退火溫度升高,薄膜反射率及粗糙度逐漸降低,700℃時薄膜平均反射率及粗糙度最低,分別為12.65%和1.64 nm;退火后光譜曲線往短波方向移動了30 nm,呈現(xiàn)典型的"藍(lán)移"現(xiàn)象,表明退火后薄膜光學(xué)厚度逐漸降低。

【文章頁數(shù)】:7 頁

【文章目錄】:
1 模型方法與實驗
    1.1 膜系設(shè)計原理
    1.2 樣品制備
    1.3 樣品表征
2 結(jié)果與討論
    2.1 薄膜質(zhì)量分析
    2.2 薄膜結(jié)構(gòu)分析
    2.3 光學(xué)性能分析
3 結(jié)論



本文編號:3771744

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