近年來,由于鈷薄膜具有優(yōu)良的物理化學性能如低電阻率、高磁各向異性、高催化活性等引起人們的廣泛關注。在集成電路領域,基于鈷優(yōu)異的低電阻率特性,鈷可以替代銅成為新一代半導體導線材料,在10 nm、7 nm,甚至在5 nm、3 nm芯片制造工藝下作為互連導線,可以提升導電性、降低功耗并大幅減小芯片體積,使芯片效能更高。目前已經(jīng)有許多制備鈷金屬薄膜的研究,本文重點介紹利用化學氣相沉積技術、熱原子層沉積技術以及等離子體輔助原子層沉積技術制備鈷薄膜的研究現(xiàn)狀,討論各種制備方法的優(yōu)劣,對所使用的前驅體做了總結,并展望了發(fā)展趨勢。

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【文章目錄】：
0 引言
1 磁控濺射技術制備鈷薄膜
2 化學氣相沉積技術制備鈷薄膜
3 原子層沉積技術制備鈷薄膜
5 結論與展望



本文編號：3740461