水溶性高分子改性超細(xì)碳化硅粉體及其分散性研究
發(fā)布時(shí)間:2022-01-03 10:59
碳化硅陶瓷是一種具有耐高溫、抗輻射、高強(qiáng)度等優(yōu)異性能的無機(jī)非金屬材料,在機(jī)械、航天航空及建筑等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。注漿成型法制備的重結(jié)晶碳化硅陶瓷密度高且粉體粒度分布均勻,但該方法對(duì)漿料有很高的要求,只有固相含量高且粘度低的漿料才能采用注漿成型。目前,采用我國(guó)生產(chǎn)的超細(xì)重結(jié)晶碳化硅粉體制備的漿料沒有達(dá)到國(guó)外先進(jìn)水平,因此需要對(duì)粉體進(jìn)行表面改性從而提高其固相含量,降低粘度。本文選用預(yù)處理的聚丙烯酸、嵌段共聚物HY-2000和HY-168、聚丙烯酸鈉作為改性劑,分別對(duì)碳化硅粉體表面進(jìn)行處理,制備了三種不同pH值的改性粉體,具體研究結(jié)果如下:(1)以預(yù)處理后的聚丙烯酸為改性劑,通過攪拌加熱法得到了 pH=6的碳化硅粉體。改性后其最大固相含量為61.2 Vol%,固相含量為50 Vol%時(shí)漿料粘度為0.438 Pa·s,且pH為6。預(yù)處理后的聚丙烯酸利用率提高至37%,這是由于分子鏈伸展的原因。預(yù)處理后的聚丙烯酸吸附在粉體表面不僅提高了改性SiC粉體的Zeta電位絕對(duì)值的最大值(63 mV),而且改善了漿料的沉降穩(wěn)定性,SiC漿料經(jīng)過48 h達(dá)到沉降平衡,相對(duì)沉降高度為94.8%。此外顆粒中的團(tuán)聚...
【文章來源】:北京化工大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:84 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1?SiC的分子結(jié)構(gòu)式示意圖??
別提出了一個(gè)機(jī)制叫做靜電穩(wěn)定機(jī)制。??粉體顆粒在介質(zhì)中分散時(shí),顆粒之間在靜電力的作用下彼此靠近,在轉(zhuǎn)移過??程中,顆粒由于吸附電荷或離子而顯正電或負(fù)電。當(dāng)帶電粒子彼此靠近到一定間??距時(shí),電子層引發(fā)重疊,由此產(chǎn)生的靜電排斥力使得粉體顆粒無法繼續(xù)湊在一起,??從而使得粉體顆粒在介質(zhì)中穩(wěn)定分散[28]。??依據(jù)該穩(wěn)定化機(jī)制,可以經(jīng)過調(diào)節(jié)體系pH值、加入帶電粒子等辦法,能夠??改變顆粒表面的電荷量,還能夠增加雙電層厚度和電位,顆粒間的排斥力增大,??使粉體顆粒能夠更好的自由散開[29]。圖1-2為靜電穩(wěn)定機(jī)制機(jī)理圖,隨著漿料??pH值的變化,顆;蚍垠w表面的緊密電荷層也會(huì)發(fā)生改變,導(dǎo)致等電點(diǎn)以及Zeta??電位發(fā)生改變。顆粒分子間的作用力,例如范德華力,大于雙電層排斥力時(shí),顆??粒就會(huì)發(fā)生一定的團(tuán)聚現(xiàn)象來降低自身表面能,從而會(huì)導(dǎo)致漿料的粘度增大。當(dāng)??粉體的固含量達(dá)到一定的數(shù)值后,再次加入粉體,漿料的性質(zhì)就會(huì)發(fā)生突變[29],??粘度會(huì)呈現(xiàn)指數(shù)型的增加,流動(dòng)性也會(huì)消失,這個(gè)通過雙電層理論可以充分的解??釋這個(gè)現(xiàn)象。???參?raMlotneraiioti??雜?'??圖1-2靜電排斥機(jī)理示意圖??Fig.?1-2?Schematic?illustration?of?electrostatic?rejection?mechanism.??王永力[3()]成功運(yùn)用靜電位阻穩(wěn)定機(jī)制使Sm203和ZnO這兩種物質(zhì)在漿料中??能夠被均勻分散,得到了具有抑制還原能力的瓷粉。??1.5.2空間位阻穩(wěn)定機(jī)制??空間位阻穩(wěn)定機(jī)制又稱立體效應(yīng)。將呈中性的高分子化合物加入到粉體顆粒??和分散介質(zhì)的體系中,在包覆和吸附的作用下,粉體表面構(gòu)成
?第一章緒論???Cl?^?^?agglomeration??圖1-3空間位阻作用機(jī)理示意圖??Fig.?1-3?Schematic?illustration?of?spatial?steric?hindrance?mechanism.??利用電中性高分子化合物形成空間位阻作用需要滿足兩個(gè)條件[31]:??(1)選用的高分子化合物必須能夠發(fā)生較強(qiáng)的物理或化學(xué)吸附,有足夠高的覆??蓋率形成穩(wěn)定的空間位阻層。??⑵吸附在顆粒表面的改性劑,它具有親水性能的分子鏈必須能夠在分散介質(zhì)??中完全延伸,形成一定厚度的空間位阻層,使顆粒之間的距離在十到二十納米,??以至于維持體系的穩(wěn)定。??劉勇飛[32]運(yùn)用空間位阻穩(wěn)定效應(yīng),實(shí)現(xiàn)了?Bi和Sb兩種元素在料漿中均勻分??散,從而增高了氧化鋅電阻片的通流功能。??1.5.?3靜電空間穩(wěn)定機(jī)制??靜電空間穩(wěn)定機(jī)制也稱為靜電位阻穩(wěn)定機(jī)制,是指上述兩種穩(wěn)定機(jī)制共同發(fā)??揮作用[33]。對(duì)于粒徑較小的顆粒,將適量聚合物、聚電解質(zhì)加入到粉體顆粒和??分散介質(zhì)的目標(biāo)體系中。一方面高分子聚電解質(zhì)吸附到顆粒表面后,顆粒帶有正??電或負(fù)電,與其電性相同的粉體顆粒發(fā)生相互排斥的作用,產(chǎn)生靜電穩(wěn)定機(jī)制;??另一方面,在環(huán)境酸堿度不同時(shí),吸附在顆粒表面的高分子聚電解質(zhì)的有機(jī)分子??長(zhǎng)鏈在分散介質(zhì)中完全舒張,增大了顆粒間的間距,產(chǎn)生空間穩(wěn)定機(jī)制。靜電空??間穩(wěn)定機(jī)制如圖1-4所示。??agglomeration?^?^?^??參雜?雜^翁??圖1-4靜電空間穩(wěn)定機(jī)制機(jī)理示意圖??Fig.?1-4?Schematic?illustration?of?spatial?steric?hindranc
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]高適應(yīng)性多支鏈聚羧酸系減水劑合成及性能研究[J]. 張明,郭春芳,賈吉堂. 硅酸鹽通報(bào). 2019(04)
[2]聚羧酸系和脂肪族系高效減水劑選用及合理?yè)搅垦芯縖J]. 王興. 太原學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2019(01)
[3]復(fù)合型硅烷偶聯(lián)劑的制備及表征[J]. 林海丹,董巍,列劍平,楊明,崔明,劉赫,孫友群,梁永久. 分子科學(xué)學(xué)報(bào). 2018(06)
[4]近年硅烷偶聯(lián)劑在聚合物改性中的研究進(jìn)展及應(yīng)用[J]. 王雅珍,張雪澤,狄語(yǔ)韜. 化工新型材料. 2018(11)
[5]碳化硅陶瓷基復(fù)合材料基體和涂層改性研究進(jìn)展[J]. 劉巧沐,許建鋒,劉佳. 硅酸鹽學(xué)報(bào). 2018(12)
[6]分散劑反應(yīng)直接凝固注模成型制備碳化硅陶瓷[J]. 干科,許杰,王正,魯毓鉅,王亞利,楊金龍. 稀有金屬材料與工程. 2018(S1)
[7]碳化硅陶瓷性能及研究進(jìn)展[J]. 肖星火. 當(dāng)代化工研究. 2017(10)
[8]納米氧化鎂的表面改性研究[J]. 王桂萍,徐哲. 沈陽(yáng)理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2017(04)
[9]無機(jī)粉體及其表面改性對(duì)有機(jī)硅電子灌封料阻燃性、電性能和力學(xué)性能影響[J]. 葉賢春,賀建蕓,康維佳,何紅,苑會(huì)林. 合成材料老化與應(yīng)用. 2015(06)
[10]無機(jī)粉體改性效果對(duì)比表面積的影響[J]. 曾小龍,鄭強(qiáng),羅筑. 塑料. 2015(06)
博士論文
[1]表面改性二氧化硅納米顆粒對(duì)水泥早期水化影響的研究[D]. 黃春龍.中國(guó)礦業(yè)大學(xué)(北京) 2018
碩士論文
[1]超細(xì)改性SiC粉體的制備及性能研究[D]. 侯軒.北京化工大學(xué) 2018
[2]SiC粉體表面改性與其在水中分散性能的研究[D]. 王永明.煙臺(tái)大學(xué) 2017
[3]ITO粉體制備及其光電性能[D]. 張怡青.北京化工大學(xué) 2017
[4]噴絲剪切速率對(duì)PAN初生纖維結(jié)構(gòu)及其工藝性的影響[D]. 楊坤.北京化工大學(xué) 2017
[5]碳化硅粉體表面處理方法及其漿料流變性研究[D]. 趙娟.煙臺(tái)大學(xué) 2016
[6]SiC粉體表面改性工藝研究[D]. 王瑞雨.煙臺(tái)大學(xué) 2014
[7]碳化硅顆粒表面改性及其分散穩(wěn)定性的研究[D]. 歐陽(yáng)唐哲.湖南大學(xué) 2012
[8]用RAFT聚合方法合成具有生物相容性及“核—?dú)ぁ苯Y(jié)構(gòu)的交聯(lián)膠束藥物載體[D]. 崔連來.天津大學(xué) 2012
[9]半導(dǎo)體制造用高純超細(xì)碳化硅陶瓷粉體表面改性研究[D]. 李星.青海大學(xué) 2011
[10]碳化硅粉體表面改性及漿料流變性研究[D]. 黃文信.沈陽(yáng)大學(xué) 2011
本文編號(hào):3566155
【文章來源】:北京化工大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:84 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1?SiC的分子結(jié)構(gòu)式示意圖??
別提出了一個(gè)機(jī)制叫做靜電穩(wěn)定機(jī)制。??粉體顆粒在介質(zhì)中分散時(shí),顆粒之間在靜電力的作用下彼此靠近,在轉(zhuǎn)移過??程中,顆粒由于吸附電荷或離子而顯正電或負(fù)電。當(dāng)帶電粒子彼此靠近到一定間??距時(shí),電子層引發(fā)重疊,由此產(chǎn)生的靜電排斥力使得粉體顆粒無法繼續(xù)湊在一起,??從而使得粉體顆粒在介質(zhì)中穩(wěn)定分散[28]。??依據(jù)該穩(wěn)定化機(jī)制,可以經(jīng)過調(diào)節(jié)體系pH值、加入帶電粒子等辦法,能夠??改變顆粒表面的電荷量,還能夠增加雙電層厚度和電位,顆粒間的排斥力增大,??使粉體顆粒能夠更好的自由散開[29]。圖1-2為靜電穩(wěn)定機(jī)制機(jī)理圖,隨著漿料??pH值的變化,顆;蚍垠w表面的緊密電荷層也會(huì)發(fā)生改變,導(dǎo)致等電點(diǎn)以及Zeta??電位發(fā)生改變。顆粒分子間的作用力,例如范德華力,大于雙電層排斥力時(shí),顆??粒就會(huì)發(fā)生一定的團(tuán)聚現(xiàn)象來降低自身表面能,從而會(huì)導(dǎo)致漿料的粘度增大。當(dāng)??粉體的固含量達(dá)到一定的數(shù)值后,再次加入粉體,漿料的性質(zhì)就會(huì)發(fā)生突變[29],??粘度會(huì)呈現(xiàn)指數(shù)型的增加,流動(dòng)性也會(huì)消失,這個(gè)通過雙電層理論可以充分的解??釋這個(gè)現(xiàn)象。???參?raMlotneraiioti??雜?'??圖1-2靜電排斥機(jī)理示意圖??Fig.?1-2?Schematic?illustration?of?electrostatic?rejection?mechanism.??王永力[3()]成功運(yùn)用靜電位阻穩(wěn)定機(jī)制使Sm203和ZnO這兩種物質(zhì)在漿料中??能夠被均勻分散,得到了具有抑制還原能力的瓷粉。??1.5.2空間位阻穩(wěn)定機(jī)制??空間位阻穩(wěn)定機(jī)制又稱立體效應(yīng)。將呈中性的高分子化合物加入到粉體顆粒??和分散介質(zhì)的體系中,在包覆和吸附的作用下,粉體表面構(gòu)成
?第一章緒論???Cl?^?^?agglomeration??圖1-3空間位阻作用機(jī)理示意圖??Fig.?1-3?Schematic?illustration?of?spatial?steric?hindrance?mechanism.??利用電中性高分子化合物形成空間位阻作用需要滿足兩個(gè)條件[31]:??(1)選用的高分子化合物必須能夠發(fā)生較強(qiáng)的物理或化學(xué)吸附,有足夠高的覆??蓋率形成穩(wěn)定的空間位阻層。??⑵吸附在顆粒表面的改性劑,它具有親水性能的分子鏈必須能夠在分散介質(zhì)??中完全延伸,形成一定厚度的空間位阻層,使顆粒之間的距離在十到二十納米,??以至于維持體系的穩(wěn)定。??劉勇飛[32]運(yùn)用空間位阻穩(wěn)定效應(yīng),實(shí)現(xiàn)了?Bi和Sb兩種元素在料漿中均勻分??散,從而增高了氧化鋅電阻片的通流功能。??1.5.?3靜電空間穩(wěn)定機(jī)制??靜電空間穩(wěn)定機(jī)制也稱為靜電位阻穩(wěn)定機(jī)制,是指上述兩種穩(wěn)定機(jī)制共同發(fā)??揮作用[33]。對(duì)于粒徑較小的顆粒,將適量聚合物、聚電解質(zhì)加入到粉體顆粒和??分散介質(zhì)的目標(biāo)體系中。一方面高分子聚電解質(zhì)吸附到顆粒表面后,顆粒帶有正??電或負(fù)電,與其電性相同的粉體顆粒發(fā)生相互排斥的作用,產(chǎn)生靜電穩(wěn)定機(jī)制;??另一方面,在環(huán)境酸堿度不同時(shí),吸附在顆粒表面的高分子聚電解質(zhì)的有機(jī)分子??長(zhǎng)鏈在分散介質(zhì)中完全舒張,增大了顆粒間的間距,產(chǎn)生空間穩(wěn)定機(jī)制。靜電空??間穩(wěn)定機(jī)制如圖1-4所示。??agglomeration?^?^?^??參雜?雜^翁??圖1-4靜電空間穩(wěn)定機(jī)制機(jī)理示意圖??Fig.?1-4?Schematic?illustration?of?spatial?steric?hindranc
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]高適應(yīng)性多支鏈聚羧酸系減水劑合成及性能研究[J]. 張明,郭春芳,賈吉堂. 硅酸鹽通報(bào). 2019(04)
[2]聚羧酸系和脂肪族系高效減水劑選用及合理?yè)搅垦芯縖J]. 王興. 太原學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2019(01)
[3]復(fù)合型硅烷偶聯(lián)劑的制備及表征[J]. 林海丹,董巍,列劍平,楊明,崔明,劉赫,孫友群,梁永久. 分子科學(xué)學(xué)報(bào). 2018(06)
[4]近年硅烷偶聯(lián)劑在聚合物改性中的研究進(jìn)展及應(yīng)用[J]. 王雅珍,張雪澤,狄語(yǔ)韜. 化工新型材料. 2018(11)
[5]碳化硅陶瓷基復(fù)合材料基體和涂層改性研究進(jìn)展[J]. 劉巧沐,許建鋒,劉佳. 硅酸鹽學(xué)報(bào). 2018(12)
[6]分散劑反應(yīng)直接凝固注模成型制備碳化硅陶瓷[J]. 干科,許杰,王正,魯毓鉅,王亞利,楊金龍. 稀有金屬材料與工程. 2018(S1)
[7]碳化硅陶瓷性能及研究進(jìn)展[J]. 肖星火. 當(dāng)代化工研究. 2017(10)
[8]納米氧化鎂的表面改性研究[J]. 王桂萍,徐哲. 沈陽(yáng)理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2017(04)
[9]無機(jī)粉體及其表面改性對(duì)有機(jī)硅電子灌封料阻燃性、電性能和力學(xué)性能影響[J]. 葉賢春,賀建蕓,康維佳,何紅,苑會(huì)林. 合成材料老化與應(yīng)用. 2015(06)
[10]無機(jī)粉體改性效果對(duì)比表面積的影響[J]. 曾小龍,鄭強(qiáng),羅筑. 塑料. 2015(06)
博士論文
[1]表面改性二氧化硅納米顆粒對(duì)水泥早期水化影響的研究[D]. 黃春龍.中國(guó)礦業(yè)大學(xué)(北京) 2018
碩士論文
[1]超細(xì)改性SiC粉體的制備及性能研究[D]. 侯軒.北京化工大學(xué) 2018
[2]SiC粉體表面改性與其在水中分散性能的研究[D]. 王永明.煙臺(tái)大學(xué) 2017
[3]ITO粉體制備及其光電性能[D]. 張怡青.北京化工大學(xué) 2017
[4]噴絲剪切速率對(duì)PAN初生纖維結(jié)構(gòu)及其工藝性的影響[D]. 楊坤.北京化工大學(xué) 2017
[5]碳化硅粉體表面處理方法及其漿料流變性研究[D]. 趙娟.煙臺(tái)大學(xué) 2016
[6]SiC粉體表面改性工藝研究[D]. 王瑞雨.煙臺(tái)大學(xué) 2014
[7]碳化硅顆粒表面改性及其分散穩(wěn)定性的研究[D]. 歐陽(yáng)唐哲.湖南大學(xué) 2012
[8]用RAFT聚合方法合成具有生物相容性及“核—?dú)ぁ苯Y(jié)構(gòu)的交聯(lián)膠束藥物載體[D]. 崔連來.天津大學(xué) 2012
[9]半導(dǎo)體制造用高純超細(xì)碳化硅陶瓷粉體表面改性研究[D]. 李星.青海大學(xué) 2011
[10]碳化硅粉體表面改性及漿料流變性研究[D]. 黃文信.沈陽(yáng)大學(xué) 2011
本文編號(hào):3566155
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