Al 2 O 3 (0001)基底MgB 2 /B/MgB 2 多層膜的制備及性質(zhì)
發(fā)布時(shí)間:2021-12-08 23:05
本文介紹了應(yīng)用混合物理化學(xué)氣相沉積(HPCVD)制備MgB2薄膜技術(shù),以B膜作為勢(shì)壘層在單晶Al2O3(0001)基底上制作了縱向三明治結(jié)構(gòu)的MgB2/B/MgB2多層膜.采用掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射(XRD)和標(biāo)準(zhǔn)四線法對(duì)獲得的MgB2/B/MgB2多層膜斷面結(jié)構(gòu)、超導(dǎo)薄膜晶體結(jié)構(gòu)及超導(dǎo)特性進(jìn)行了測(cè)量研究.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,制備的MgB2/B/MgB2多層膜結(jié)構(gòu)清晰,底層和頂層超導(dǎo)薄膜顯示出良好的超導(dǎo)特性.
【文章來(lái)源】: 低溫物理學(xué)報(bào). 2016,38(05)北大核心CSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)
【文章目錄】:
1 引言
2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
3 結(jié)果分析與討論
4 結(jié)論
本文編號(hào):3529419
【文章來(lái)源】: 低溫物理學(xué)報(bào). 2016,38(05)北大核心CSCD
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1 引言
2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
3 結(jié)果分析與討論
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