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Al 2 O 3 (0001)基底MgB 2 /B/MgB 2 多層膜的制備及性質(zhì)

發(fā)布時間:2021-12-08 23:05
  本文介紹了應(yīng)用混合物理化學(xué)氣相沉積(HPCVD)制備MgB2薄膜技術(shù),以B膜作為勢壘層在單晶Al2O3(0001)基底上制作了縱向三明治結(jié)構(gòu)的MgB2/B/MgB2多層膜.采用掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射(XRD)和標準四線法對獲得的MgB2/B/MgB2多層膜斷面結(jié)構(gòu)、超導(dǎo)薄膜晶體結(jié)構(gòu)及超導(dǎo)特性進行了測量研究.實驗結(jié)果表明,制備的MgB2/B/MgB2多層膜結(jié)構(gòu)清晰,底層和頂層超導(dǎo)薄膜顯示出良好的超導(dǎo)特性.

【文章來源】: 低溫物理學(xué)報. 2016,38(05)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】:5 頁

【文章目錄】:
1 引言
2 實驗過程
3 結(jié)果分析與討論
4 結(jié)論



本文編號:3529419

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