石墨烯粉體XPS定量測量的關(guān)鍵影響因素研究
發(fā)布時間:2021-11-21 04:50
為了開發(fā)XPS技術(shù)對石墨烯粉體中的碳、氧元素含量進(jìn)行定量測量的特性分析方法,本工作深入考察了表面污染物、儀器參數(shù)、扣背底方法等因素對測試結(jié)果的影響。為得到有較高分辨率和較好信噪比的XPS譜圖,對于石墨烯粉體樣品,建議通過能不超過50e V、氧元素結(jié)合能采集范圍要優(yōu)于528 eV-538 eV、保證信噪比大于10的采集時間和采集次數(shù)、選用Shirley或Smart方法扣背底。
【文章來源】:中國標(biāo)準(zhǔn)化. 2020,(S1)
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
石墨烯(G)、還原氧化石墨烯(r-GO)和氧化石墨烯(GO)樣品的典型C1sXPS譜
|2020·中國標(biāo)準(zhǔn)化·新材料標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)航增刊新材料應(yīng)用研究水的,但在生產(chǎn)、儲藏、分析測試過程中,空氣中的烴類物質(zhì)、水汽等可能在樣品表面發(fā)生吸附而造成表面污染,本工作利用真空在線處理系統(tǒng),采用長時間真空脫附、真空熱脫附兩種手段進(jìn)行了考察。3.1.1真空脫附真空脫附是利用高真空度環(huán)境脫除樣品表面吸附物的常用方法之一。制備5個石墨烯平行樣,將樣品置于XPS準(zhǔn)備室中,抽真空,待真空達(dá)到5×10-8mBar后開始計(jì)時,選定0h、10h、20h、40h四個時間點(diǎn),考察真空脫附時長對XPS分析測試結(jié)果的影響,測試結(jié)果如圖2所示。在0h、10h、20h、40h時間點(diǎn),測得的C元素相對百分含量的平均值和相對標(biāo)準(zhǔn)偏差分別為:97.937%,0.22%;98.46%,0.33%;98.34%,0.21%和98.49%,0.29%?梢娛悠窌捎谖轿镔|(zhì)而造成表面污染,因此建議在進(jìn)行XPS分析測試前,對樣品進(jìn)行充分的真空脫附處理。3.1.2真空熱脫附將樣品進(jìn)行真空熱脫附處理考察表面吸附情況。將樣品放入準(zhǔn)備室,升溫至指定溫度后恒溫1h,冷卻至室溫進(jìn)行分析測試。在未加熱(RT)、100℃、200℃、300℃熱處理后,石墨烯樣品的XPSC1s譜如圖3所示,C元素的相對百分比含量見表1。由圖3可見,表示sp2雜化的碳信號的284.4eV處XPS峰的半峰寬為0.71eV,表示碳π-π共軛結(jié)構(gòu)的躍遷信號處于290eV–292eV結(jié)合能區(qū)間,在加熱處理后略有增強(qiáng),結(jié)合表1中C元素相對百分含量在加熱后略有降低的情況,推測石墨烯樣品在真空熱脫附處理時,有少量結(jié)合比較牢固的含氧吸附物或者含氧官能團(tuán)發(fā)生了真空熱解,但因?yàn)镃元素的百分含量降低幅度極為有限,說明石墨烯表面并未發(fā)生明顯的吸附污染。表1石墨烯樣品在室溫(RT)、100℃、200℃、300℃下真空處理1h后的碳元素的相對百分比含量溫度
XPS分析測試結(jié)果的影響,測試結(jié)果如圖2所示。在0h、10h、20h、40h時間點(diǎn),測得的C元素相對百分含量的平均值和相對標(biāo)準(zhǔn)偏差分別為:97.937%,0.22%;98.46%,0.33%;98.34%,0.21%和98.49%,0.29%。可見石墨烯樣品會由于吸附物質(zhì)而造成表面污染,因此建議在進(jìn)行XPS分析測試前,對樣品進(jìn)行充分的真空脫附處理。3.1.2真空熱脫附將樣品進(jìn)行真空熱脫附處理考察表面吸附情況。將樣品放入準(zhǔn)備室,升溫至指定溫度后恒溫1h,冷卻至室溫進(jìn)行分析測試。在未加熱(RT)、100℃、200℃、300℃熱處理后,石墨烯樣品的XPSC1s譜如圖3所示,C元素的相對百分比含量見表1。由圖3可見,表示sp2雜化的碳信號的284.4eV處XPS峰的半峰寬為0.71eV,表示碳π-π共軛結(jié)構(gòu)的躍遷信號處于290eV–292eV結(jié)合能區(qū)間,在加熱處理后略有增強(qiáng),結(jié)合表1中C元素相對百分含量在加熱后略有降低的情況,推測石墨烯樣品在真空熱脫附處理時,有少量結(jié)合比較牢固的含氧吸附物或者含氧官能團(tuán)發(fā)生了真空熱解,但因?yàn)镃元素的百分含量降低幅度極為有限,說明石墨烯表面并未發(fā)生明顯的吸附污染。表1石墨烯樣品在室溫(RT)、100℃、200℃、300℃下真空處理1h后的碳元素的相對百分比含量溫度RT100℃200℃300℃碳元素相對百分含量平均值98.3997.6697.9398.23相對標(biāo)準(zhǔn)偏差0.400.540.340.413.2儀器參數(shù)的影響XPS儀器集成化程度很高,實(shí)驗(yàn)中可調(diào)的參數(shù)主要有通能和采集時間。通過能會影響儀器對樣品的分辨率和信號強(qiáng)度。掃描次數(shù)和掃描時間的增加可提高含量較低元素XPS譜圖的信噪比。3.2.1通能的影響XPS儀器是通過控制半球分析器中電子接收器通道的寬度來調(diào)節(jié)通能的大校文獻(xiàn)中常見的高分辨譜采集通能一般是20eV-50eV[22-24]。通能設(shè)置過大,會降低儀器的分辨率?
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]石墨烯粉體材料的標(biāo)準(zhǔn)化測試方法研究[J]. 劉忍肖,徐鵬,田國蘭,閆曉英,高潔,葛廣路. 中國標(biāo)準(zhǔn)化. 2019(S1)
[2]石墨烯的表征方法[J]. 彭黎瓊,謝金花,郭超,張東. 功能材料. 2013(21)
[3]XPS數(shù)據(jù)處理中的峰形和背景扣除[J]. 張濱,孫玉珍,王文皓. 物理測試. 2011(01)
[4]石墨烯的化學(xué)研究進(jìn)展[J]. 傅強(qiáng),包信和. 科學(xué)通報(bào). 2009(18)
[5]XPS分析固體粉末時的樣品制備法研究[J]. 劉芬,趙志娟,邱麗美,趙良仲. 分析測試技術(shù)與儀器. 2007(02)
[6]從光電子峰的背景信號獲得成分深度分布信息:Tougaard背景擬合方法[J]. 季振國,朱玲. 真空科學(xué)與技術(shù). 2002(06)
本文編號:3508806
【文章來源】:中國標(biāo)準(zhǔn)化. 2020,(S1)
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
石墨烯(G)、還原氧化石墨烯(r-GO)和氧化石墨烯(GO)樣品的典型C1sXPS譜
|2020·中國標(biāo)準(zhǔn)化·新材料標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)航增刊新材料應(yīng)用研究水的,但在生產(chǎn)、儲藏、分析測試過程中,空氣中的烴類物質(zhì)、水汽等可能在樣品表面發(fā)生吸附而造成表面污染,本工作利用真空在線處理系統(tǒng),采用長時間真空脫附、真空熱脫附兩種手段進(jìn)行了考察。3.1.1真空脫附真空脫附是利用高真空度環(huán)境脫除樣品表面吸附物的常用方法之一。制備5個石墨烯平行樣,將樣品置于XPS準(zhǔn)備室中,抽真空,待真空達(dá)到5×10-8mBar后開始計(jì)時,選定0h、10h、20h、40h四個時間點(diǎn),考察真空脫附時長對XPS分析測試結(jié)果的影響,測試結(jié)果如圖2所示。在0h、10h、20h、40h時間點(diǎn),測得的C元素相對百分含量的平均值和相對標(biāo)準(zhǔn)偏差分別為:97.937%,0.22%;98.46%,0.33%;98.34%,0.21%和98.49%,0.29%?梢娛悠窌捎谖轿镔|(zhì)而造成表面污染,因此建議在進(jìn)行XPS分析測試前,對樣品進(jìn)行充分的真空脫附處理。3.1.2真空熱脫附將樣品進(jìn)行真空熱脫附處理考察表面吸附情況。將樣品放入準(zhǔn)備室,升溫至指定溫度后恒溫1h,冷卻至室溫進(jìn)行分析測試。在未加熱(RT)、100℃、200℃、300℃熱處理后,石墨烯樣品的XPSC1s譜如圖3所示,C元素的相對百分比含量見表1。由圖3可見,表示sp2雜化的碳信號的284.4eV處XPS峰的半峰寬為0.71eV,表示碳π-π共軛結(jié)構(gòu)的躍遷信號處于290eV–292eV結(jié)合能區(qū)間,在加熱處理后略有增強(qiáng),結(jié)合表1中C元素相對百分含量在加熱后略有降低的情況,推測石墨烯樣品在真空熱脫附處理時,有少量結(jié)合比較牢固的含氧吸附物或者含氧官能團(tuán)發(fā)生了真空熱解,但因?yàn)镃元素的百分含量降低幅度極為有限,說明石墨烯表面并未發(fā)生明顯的吸附污染。表1石墨烯樣品在室溫(RT)、100℃、200℃、300℃下真空處理1h后的碳元素的相對百分比含量溫度
XPS分析測試結(jié)果的影響,測試結(jié)果如圖2所示。在0h、10h、20h、40h時間點(diǎn),測得的C元素相對百分含量的平均值和相對標(biāo)準(zhǔn)偏差分別為:97.937%,0.22%;98.46%,0.33%;98.34%,0.21%和98.49%,0.29%。可見石墨烯樣品會由于吸附物質(zhì)而造成表面污染,因此建議在進(jìn)行XPS分析測試前,對樣品進(jìn)行充分的真空脫附處理。3.1.2真空熱脫附將樣品進(jìn)行真空熱脫附處理考察表面吸附情況。將樣品放入準(zhǔn)備室,升溫至指定溫度后恒溫1h,冷卻至室溫進(jìn)行分析測試。在未加熱(RT)、100℃、200℃、300℃熱處理后,石墨烯樣品的XPSC1s譜如圖3所示,C元素的相對百分比含量見表1。由圖3可見,表示sp2雜化的碳信號的284.4eV處XPS峰的半峰寬為0.71eV,表示碳π-π共軛結(jié)構(gòu)的躍遷信號處于290eV–292eV結(jié)合能區(qū)間,在加熱處理后略有增強(qiáng),結(jié)合表1中C元素相對百分含量在加熱后略有降低的情況,推測石墨烯樣品在真空熱脫附處理時,有少量結(jié)合比較牢固的含氧吸附物或者含氧官能團(tuán)發(fā)生了真空熱解,但因?yàn)镃元素的百分含量降低幅度極為有限,說明石墨烯表面并未發(fā)生明顯的吸附污染。表1石墨烯樣品在室溫(RT)、100℃、200℃、300℃下真空處理1h后的碳元素的相對百分比含量溫度RT100℃200℃300℃碳元素相對百分含量平均值98.3997.6697.9398.23相對標(biāo)準(zhǔn)偏差0.400.540.340.413.2儀器參數(shù)的影響XPS儀器集成化程度很高,實(shí)驗(yàn)中可調(diào)的參數(shù)主要有通能和采集時間。通過能會影響儀器對樣品的分辨率和信號強(qiáng)度。掃描次數(shù)和掃描時間的增加可提高含量較低元素XPS譜圖的信噪比。3.2.1通能的影響XPS儀器是通過控制半球分析器中電子接收器通道的寬度來調(diào)節(jié)通能的大校文獻(xiàn)中常見的高分辨譜采集通能一般是20eV-50eV[22-24]。通能設(shè)置過大,會降低儀器的分辨率?
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]石墨烯粉體材料的標(biāo)準(zhǔn)化測試方法研究[J]. 劉忍肖,徐鵬,田國蘭,閆曉英,高潔,葛廣路. 中國標(biāo)準(zhǔn)化. 2019(S1)
[2]石墨烯的表征方法[J]. 彭黎瓊,謝金花,郭超,張東. 功能材料. 2013(21)
[3]XPS數(shù)據(jù)處理中的峰形和背景扣除[J]. 張濱,孫玉珍,王文皓. 物理測試. 2011(01)
[4]石墨烯的化學(xué)研究進(jìn)展[J]. 傅強(qiáng),包信和. 科學(xué)通報(bào). 2009(18)
[5]XPS分析固體粉末時的樣品制備法研究[J]. 劉芬,趙志娟,邱麗美,趙良仲. 分析測試技術(shù)與儀器. 2007(02)
[6]從光電子峰的背景信號獲得成分深度分布信息:Tougaard背景擬合方法[J]. 季振國,朱玲. 真空科學(xué)與技術(shù). 2002(06)
本文編號:3508806
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