發(fā)布時(shí)間：2021-11-04 02:43

　　采用射頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù),在不同氣壓下制備了二硫化鉬薄膜。利用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、紫外可見光光譜儀等對(duì)薄膜的表面形貌、結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能進(jìn)行了表征、分析。結(jié)果表明:利用射頻反應(yīng)磁控濺射制備的MoS₂薄膜,表面平整、顆粒均勻、致密,缺陷少;沉積氣壓1.2Pa條件下制備的薄膜結(jié)晶度最好;薄膜的光學(xué)帶隙隨沉積氣壓先增大后減小,1.2Pa時(shí)光學(xué)帶隙最大,為1.69e V。薄膜光學(xué)帶隙的變化是由沉積氣壓引起薄膜結(jié)晶度變化和形成缺陷不同所致。 

【文章來源】：真空. 2020,57(05)

【文章頁數(shù)】：3 頁

【部分圖文】：

磁控濺射制備的Mo S2薄膜表面形貌(a)和截面圖(b)，沉積條件:300W,1.2Pa

使用SEM系統(tǒng)搭載EDS成分分析部件，對(duì)Mo S2薄膜的元素組成進(jìn)行測(cè)定，能譜圖如圖2（沉積條件300W,1.0Pa），不同條件下制備的薄膜原子百分含量具體數(shù)據(jù)見表1。由表可見，Mo S2薄膜中的Mo原子含量與S原子含量大致為2:1，說明射頻磁控濺射制備Mo S2薄膜結(jié)構(gòu)比較穩(wěn)定。薄膜中的O成分含量較高，主要是由于樣品測(cè)試前薄膜吸附了空氣中的水所致。圖2為不同氣壓制備在單晶硅上Mo S2薄膜的XRD能譜圖�？梢�，衍射譜中69.4°處均出現(xiàn)Mo S2(202）晶面比較尖銳的衍射峰，本方法制備的Mo S2薄膜的結(jié)晶度均比較高，但隨著沉積氣壓的改變其強(qiáng)弱略有不同，其中在1.2Pa的沉積壓強(qiáng)下的半峰寬最小，強(qiáng)度最高，故在1.2Pa條件下制備的薄膜結(jié)晶度最好。在69.6°出現(xiàn)的Si(400）晶面衍射峰，是由基底中硅所致。

不同氣壓下在石英片上制備的Mo S2薄膜透過率曲線，如圖4。由圖可見，Mo S2薄膜的可見光區(qū)域的透射率大體呈現(xiàn)一個(gè)先增后減的趨勢(shì)。由薄膜透射率，根據(jù)Tauc方程[13]:

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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[2]二硫化鉬薄膜的制備及其光探測(cè)器研究[D]. 夏萬順.電子科技大學(xué) 2018
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本文編號(hào)：3474837