作為二維材料,MoS₂具有優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué)以及機(jī)械性能,而C₆₀是一種優(yōu)秀的電子傳輸材料,基于兩種材料的優(yōu)異特性,將MoS₂與C₆₀相結(jié)合。采用直流磁控濺射法獲得前驅(qū)體Mo薄膜,然后采用化學(xué)氣相沉積法對Mo薄膜進(jìn)行硫化退火處理得到MoS₂薄膜,再采用真空蒸鍍法在MoS₂薄膜上沉積C₆₀進(jìn)而形成MoS₂/C₆₀薄膜,并且采用真空蒸鍍法制備電極得到MoS₂場效應(yīng)管與Au/MoS₂/C₆₀/Al結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)器件,主要進(jìn)行了以下三個(gè)方面的研究:（1）制備了不同濺射功率條件下的前驅(qū)體Mo薄膜,通過臺(tái)階儀測得Mo薄膜厚度,進(jìn)而通過厚度與時(shí)間的比值得到在14.4 W、9.6 W與4.8 W條件下薄膜沉積速率分別約為0.38?/s、0.24?/s與0.15?/s。制備了不同硫化退火溫度、時(shí)間以及不同前驅(qū)體Mo薄膜條件下的MoS₂

【文章來源】：北京工業(yè)大學(xué)北京市 211工程院校

【文章頁數(shù)】：55 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

MoS2的三種晶體結(jié)構(gòu)類型[15]

圖 1-2 MoS2的能帶結(jié)構(gòu)[15]Fig.1-2 Band structures of MoS2[15]，MoS2的光吸收及熒光特性與其自身的厚度密切相關(guān)。 S.化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）法通過改（650℃）、雙層（700℃）以及多層（750-800℃）MoS2薄膜光光度計(jì)研究了薄膜的光吸收特性。如圖 1-3 所示，不同厚明顯的吸收峰位于 605nm、655nm 附近。MoS2的熒光現(xiàn)象最 Splendiani 等人[18]發(fā)現(xiàn)，他們采用微機(jī)械剝離法剝離出不同厚得了其熒光光譜。如圖 1-4 所示，雖然塊狀 MoS2沒有熒光特度的減小，開始產(chǎn)生熒光現(xiàn)象，出現(xiàn)熒光特征峰，當(dāng)厚度減小達(dá)到最強(qiáng)。研究這些特殊的光物理性質(zhì)對于制作基于 MoS2的S2材料的理論分析計(jì)算有著重要的意義。

圖 1-2 MoS2的能帶結(jié)構(gòu)[15]Fig.1-2 Band structures of MoS2[15]oS2的光吸收及熒光特性與其自身的厚度密切相關(guān)。氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）法通50℃）、雙層（700℃）以及多層（750-800℃）MoS2光度計(jì)研究了薄膜的光吸收特性。如圖 1-3 所示，不的吸收峰位于 605nm、655nm 附近。MoS2的熒光現(xiàn)ndiani 等人[18]發(fā)現(xiàn)，他們采用微機(jī)械剝離法剝離出不同其熒光光譜。如圖 1-4 所示，雖然塊狀 MoS2沒有熒減小，開始產(chǎn)生熒光現(xiàn)象，出現(xiàn)熒光特征峰，當(dāng)厚度減最強(qiáng)。研究這些特殊的光物理性質(zhì)對于制作基于 Mo料的理論分析計(jì)算有著重要的意義。

【參考文獻(xiàn)】：
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博士論文
[1]二硫化鉬二維材料及其異質(zhì)結(jié)的制備和光電特性研究[D]. 張克難.中國科學(xué)院研究生院(上海技術(shù)物理研究所) 2016

碩士論文
[1]紅熒烯與C60、MoO3混合薄膜的光學(xué)性質(zhì)研究[D]. 張紫佳.北京工業(yè)大學(xué) 2016
[2]C60和CdSe/CdS/ZnS量子點(diǎn)復(fù)合體系表面界面光電荷轉(zhuǎn)移的研究[D]. 袁萌.河南大學(xué) 2015



本文編號(hào)：3466379