通過射頻磁控濺射制備Zn-Sb預(yù)沉積薄膜,隨后依次進(jìn)行0～800 kGy不同劑量的電子束輻照處理和常規(guī)熱退火,獲得β-Zn4Sb3熱電薄膜.利用X射線衍射儀（X-ray diffraction,XRD）和場發(fā)射掃描電子顯微鏡（field emission scanning electron microscopy,FESEM）分析表征了薄膜的微結(jié)構(gòu)和表面形貌,利用Hall效應(yīng)和Seebeck效應(yīng)檢測了薄膜的電輸運(yùn)和熱電性能.研究結(jié)果表明,所有樣品均表現(xiàn)出p型導(dǎo)電.經(jīng)電子束輻照處理的薄膜樣品,其物相組成沒有發(fā)生變化,平均晶粒尺寸變化不大,但薄膜表面的致密度有所提高,且晶粒生長表現(xiàn)出一定的（223）晶面取向性生長.當(dāng)電子束輻照劑量為200 kGy時(shí),由于在電導(dǎo)率降幅很小的同時(shí)Seebeck系數(shù)得到了有效的提高,故樣品的功率因子可達(dá)6.90μW/（cm.K²）,比未進(jìn)行電子束輻照處理的樣品提高了41.7%. 

【文章來源】：上海大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2020,26(06)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果和討論
    2.1 物相及微結(jié)構(gòu)分析
    2.2 電輸運(yùn)和熱電功率因子分析
3 結(jié)束語


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Thermoelectric performance of p-type zone-melted Se-doped Bi0.5Sb1.5Te3 alloys[J]. Ren-Shuang Zhai,Ye-Hao Wu,Tie-Jun Zhu,Xin-Bing Zhao.  Rare Metals. 2018(04)
[2]Thermoelectric transport properties of Pb-Sn-Te-Se system[J]. Bing-Chao Qin,Yu Xiao,Yi-Ming Zhou,Li-Dong Zhao.  Rare Metals. 2018(04)
[3]Se摻雜量對(duì)n型Bi2Te3-xSex微結(jié)構(gòu)及熱電性能的影響[J]. 張騏昊,徐磊磊,王連軍,江莞.  無機(jī)材料學(xué)報(bào). 2014(11)



本文編號(hào)：3429207