二氧化錫基透明導(dǎo)電薄膜的低輻射性能具有重要的理論意義和實(shí)用價(jià)值,本文以噴霧熱解法制備的氟摻雜二氧化錫薄膜（FTO）為研究對(duì)象,通過確定最佳溶劑對(duì)FTO薄膜的低輻射性能進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化。并采用氣溶膠輔助化學(xué)氣相沉積法（AACVD）制備了鉭摻雜的二氧化錫薄膜（TTO）及氟鉭共摻雜的二氧化錫薄膜（TFTO）,研究了氟鉭共摻雜對(duì)二氧化錫基薄膜的光學(xué)、電學(xué)及輻射率的影響。采用XRD、SEM、AFM、XPS、霍爾效應(yīng)儀等手段對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)、形貌、元素存在、應(yīng)力狀態(tài)等進(jìn)行表征。主要研究結(jié)果如下:甲醇為溶劑制備的FTO薄膜具有最佳的綜合光學(xué)、電學(xué)性能,品質(zhì)因數(shù)可達(dá)到1.646×10^-2Ω^-1。可見光區(qū)透射比均大于75%。不同溶劑制備的FTO薄膜的霍爾遷移率主要受到電離雜質(zhì)散射的影響。薄膜的光學(xué)帶隙最大值為4.06 eV,其結(jié)果與載流子簡(jiǎn)并有關(guān)。鉭摻雜比例為2 at.%時(shí),TTO薄膜具有最好的光、電學(xué)性能和較低的輻射率。薄膜擇優(yōu)取向的趨勢(shì)受到薄膜內(nèi)應(yīng)力的影響。一定量濃度的鉭摻雜會(huì)導(dǎo)致薄膜內(nèi)部缺乏氧O_I的增多,和充足氧O_II... 

【文章來源】：燕山大學(xué)河北省

【文章頁數(shù)】：65 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

SnO2的晶格結(jié)構(gòu)示意圖

氣溶膠輔助化學(xué)氣相沉積法示意圖

噴霧熱解過程示意圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]低輻射薄膜的熱穩(wěn)定性研究[D]. 楊靜凱.燕山大學(xué) 2013



本文編號(hào)：3397347