Ce摻雜PI/CuO復(fù)合薄膜的制備及性能
發(fā)布時(shí)間:2021-08-04 11:16
以聚酰亞胺(PI)為基體,采用離子交換法制備Ce摻雜PI/CuO復(fù)合薄膜?疾炝瞬煌苽錀l件對(duì)其性能的影響,并進(jìn)一步研究了Ce摻雜量及離子交換液濃度對(duì)復(fù)合薄膜的影響。利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線熒光能譜(XRF)、X射線衍射(XRD)、紅外光譜分析(FT-IR)等技術(shù)手段對(duì)復(fù)合薄膜進(jìn)行表征,并且以亞甲基藍(lán)為模型污染物,根據(jù)對(duì)亞甲基藍(lán)的降解率評(píng)價(jià)薄膜的光催化性能。研究結(jié)果表明,煅燒溫度350℃,煅燒時(shí)間4h,Ce摻雜量為10%、離子交換液濃度為0.4mol/L時(shí),光催化效果最好,2h亞甲基藍(lán)降解率可達(dá)92.7%,總有機(jī)碳量(TOC)去除率78.7%。回收復(fù)合薄膜進(jìn)行二次利用,降解效果良好。
【文章來源】:化工新型材料. 2016,44(01)北大核心CSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:3 頁(yè)
【文章目錄】:
1 實(shí)驗(yàn)部分
1.1 試劑及儀器
1.2 復(fù)合薄膜的制備
1.3 PI/CuO薄膜的表征
1.4 光催化活性測(cè)試
2 結(jié)果與討論
2.1 紅外光譜(FT-IR)分析
2.2 掃描電鏡(SEM)分析
2.3 X射線熒光能譜分析
2.4 X射線衍射測(cè)定(XRD)分析
2.5 Ce摻雜量對(duì)PI/CuO薄膜光催化性能影響
2.6 離子交換溶液濃度對(duì)PI/CuO薄膜光催化性能的影響
2.7 煅燒溫度對(duì)PI/CuO薄膜光催化性能影響
2.8 煅燒時(shí)間對(duì)PI/CuO薄膜光催化性能影響
2.9 光催化劑的回收利用
3 結(jié)論
本文編號(hào):3321595
【文章來源】:化工新型材料. 2016,44(01)北大核心CSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:3 頁(yè)
【文章目錄】:
1 實(shí)驗(yàn)部分
1.1 試劑及儀器
1.2 復(fù)合薄膜的制備
1.3 PI/CuO薄膜的表征
1.4 光催化活性測(cè)試
2 結(jié)果與討論
2.1 紅外光譜(FT-IR)分析
2.2 掃描電鏡(SEM)分析
2.3 X射線熒光能譜分析
2.4 X射線衍射測(cè)定(XRD)分析
2.5 Ce摻雜量對(duì)PI/CuO薄膜光催化性能影響
2.6 離子交換溶液濃度對(duì)PI/CuO薄膜光催化性能的影響
2.7 煅燒溫度對(duì)PI/CuO薄膜光催化性能影響
2.8 煅燒時(shí)間對(duì)PI/CuO薄膜光催化性能影響
2.9 光催化劑的回收利用
3 結(jié)論
本文編號(hào):3321595
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