Ga₂O₃作為寬禁帶的半導(dǎo)體氧化物材料,在光電、壓電、氣敏、光敏等領(lǐng)域具有廣闊的或潛在的應(yīng)用前景。目前國(guó)內(nèi)外對(duì)Ga₂O₃材料的研究主要集中在利用多晶以及單晶的Ga₂O₃制備出性能良好的日盲紫外探測(cè)器,單晶Ga₂O₃作有源層可以得到良好的紫外探測(cè)性能,但制備成本高昂,多晶Ga₂O₃薄膜結(jié)晶質(zhì)量較差,作有源層其導(dǎo)電性能太差,不利于作為器件使用。具有高度擇優(yōu)取向的Ga₂O₃薄膜介于多晶與單晶之間,具有良好的光電性能。本文在此基礎(chǔ)上,以碳化硅和藍(lán)寶石作為襯底,采用磁控濺射法制備擇優(yōu)取向的Ga₂O₃薄膜,考慮到氧化鎵與這兩者的晶格失配,選取與b軸平行的晶面為生長(zhǎng)面,可實(shí)現(xiàn)與襯底之間較小的晶格失配,有利于提高薄膜結(jié)晶質(zhì)量,并能有效改善薄膜導(dǎo)電性。因此,本論文基于碳化硅和藍(lán)寶石襯底上制備擇優(yōu)取向的... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：65 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

β-Ga2O3的晶體結(jié)構(gòu)

的發(fā)射最為有效，通常來源于寬度約為 4.9 eV，但本征的 β- β-Ga2O3是一種陰離子密堆積，通過 GaO4的六面體連接鏈與晶格內(nèi)部具有較多氧空位，可以用 β-Ga2O3不同晶向的籽晶生得不同取向的單晶其電導(dǎo)率和載46 cm2V-1s-1，and 2.2 S·cm-1可以從載流子濃度和遷移率兩方a 原子可以有效增強(qiáng)其導(dǎo)電性但而在提高遷移率方面可以通過襯底的（0001）晶面可以優(yōu)先時(shí) b 軸和襯底平行，8 面體的 G載流子電子所遵循的路徑。

圖 1-3 探測(cè)器的伏安特性(a) 無(wú)光照時(shí) (b) 254 nm 光照下探測(cè)器的伏安特性[27]圖 1-4 254 nm 光照下探測(cè)器的時(shí)間響應(yīng)(a) 探測(cè)器 7 次開關(guān)的時(shí)間響應(yīng) (b) 探測(cè)器一次響應(yīng)過程的放大[27]2009 年，Rikiya Suzuki[28]等人基于 β-Ga2O3單晶體制備了與 Au 形成肖特基接觸的氧化鎵光電二極管，并對(duì)其進(jìn)行適當(dāng)溫度的退火處理，以避免在金屬與半導(dǎo)體材料間形成高電阻層阻礙電流的傳輸，從而調(diào)整金屬與氧化鎵表面薄膜的勢(shì)壘

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]氣體分子碰撞頻率和平均自由程的推導(dǎo)[J]. 張煒.  大學(xué)物理. 1988(01)



本文編號(hào)：3270785