發(fā)布時(shí)間：2021-06-28 12:03

　　太赫茲調(diào)制器是太赫茲波應(yīng)用領(lǐng)域的重要器件。鐵電材料作為一種介電特性可通過光場(chǎng)或電場(chǎng)調(diào)控的電介質(zhì),為太赫茲功能器件提供了新的選擇。另外超表面由于其獨(dú)特的光學(xué)特性,在太赫茲器件上也得到了一定的應(yīng)用,并促進(jìn)太赫茲技術(shù)的發(fā)展。本文主要研究了硅基鈦酸鋇（BTO）和鈦酸鍶（STO）薄膜在太赫茲波段的介電調(diào)制性能,以及硅基超表面對(duì)太赫茲波的調(diào)制。研究?jī)?nèi)容如下:（1）介紹了硅基BTO薄膜的制備過程。利用太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)采集了樣品在波長(zhǎng)為1064 nm的外加光場(chǎng)作用下的時(shí)域光譜,通過計(jì)算得到不同功率光場(chǎng)作用下的BTO薄膜的復(fù)介電常數(shù)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,當(dāng)光功率從0 mW調(diào)至450 mW時(shí),硅基BTO薄膜的介電常數(shù)實(shí)部的調(diào)制度最高可以達(dá)到74%。（2）比較了硅基BTO、STO單層薄膜以及BTO/STO多層薄膜樣品在功率可調(diào)的外加光場(chǎng)作用下對(duì)太赫茲波的調(diào)制性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,上述三個(gè)薄膜樣品的透過率均隨著外加光場(chǎng)功率的增加而減小,且調(diào)制度分別達(dá)到29.12%,14.03%和28.43%。（3）從理論上和實(shí)驗(yàn)上研究了一種基于等離子體誘導(dǎo)透明的超表面太赫茲調(diào)制器。實(shí)驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn),在透射譜中有兩個(gè)諧振峰和一個(gè)明顯的透... 

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

太赫茲在電磁波譜中的位置

中 科 技 大 學(xué) 碩 士 學(xué) 位 論 千電子伏，因此對(duì)于生物檢測(cè)[4]尤為重要，并且水強(qiáng)烈只能作用于皮膚表面，不會(huì)對(duì)人體內(nèi)部器官產(chǎn)生影響。國(guó)內(nèi)第一臺(tái)自主動(dòng)式的人體安檢儀已在深圳機(jī)場(chǎng)投用，，輻射劑量只有手機(jī)的十分之一，成像分辨率小于 5 m辨能力高: 太赫茲的頻譜比較寬，可以從幾十個(gè) GHz 開始信息在這個(gè)頻段內(nèi)，具有強(qiáng)烈的吸收特性，因此通過分同的組成成分，分析物品。面所說(shuō)的這些因素，因此它具有非常重大的研究意義示。

圖 1-3 各類系統(tǒng)茲通信系統(tǒng)主要有三種方案，分別為全電子器件系統(tǒng)、光電系統(tǒng)，如圖 1-3 所示。這三種通信系統(tǒng)的方案中，太赫茲作用。作為太赫茲通信系統(tǒng)中的核心器件，研究高性能的信系統(tǒng)投入實(shí)際應(yīng)用不可或缺的環(huán)節(jié)。然而現(xiàn)階段對(duì)于太限，依然存在調(diào)制深度小、調(diào)制速率低以及需要低溫下工波調(diào)制特性介紹THz 源和檢測(cè)研究得到了重大成果，加快了 THz 的產(chǎn)品進(jìn)由于相對(duì)于射頻和微波頻段的傳輸、探測(cè)和控制，THz 波且了這一類的器件都極其的稀少，從而非常大的阻止了 T

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]基于石墨烯等離子體誘導(dǎo)透明的太赫茲超材料動(dòng)態(tài)調(diào)制特性研究[D]. 姚剛.華中科技大學(xué) 2017



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