SiO 2 /MgO-PTFE/PET復合膜的制備及應用性能研究
發(fā)布時間:2021-06-23 22:39
SiO2/PET復合包裝膜是一種新型軟包裝材料,可廣泛應用于食品、醫(yī)藥、日化等領域。但是,由于SiO2和PET屬于兩種不同性質(zhì)的材料,其熱膨脹系數(shù)等性能參數(shù)相差較大,會導致膜基結(jié)合不牢和性能下降。本文以提高SiO2/PET復合膜的結(jié)合強度為目的,設計開發(fā)了新型SiO2/MgO-PTFE/PET復合膜,通過掃描電鏡、能譜儀、附著強度測試儀和透濕儀的檢測與表征,研究了過渡層的制備工藝參數(shù)對其結(jié)合性能和透濕性能的影響,并優(yōu)化出最佳制備參數(shù)。采用磁控濺射技術(shù)制備了SiO2/MgO-PTFE/PET復合膜,并通過附著強度測試儀、透濕儀檢測了復合膜的結(jié)合性能和透濕性能。結(jié)果表明:SiO2/MgO-PTFE/PET復合膜的結(jié)合強度較SiO2/PET復合膜、SiO2/MgO/PET復合膜分別高345%、97.98%;SiO2/MgO-PTFE/PET復合膜的透濕性能較PET薄膜、SiO2
【文章來源】:湖南工業(yè)大學湖南省
【文章頁數(shù)】:59 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
聚偏二氯乙烯的分子結(jié)構(gòu)式但是,由于聚偏二氯乙烯(PVDC)是一種高結(jié)晶度的聚合物,其熱穩(wěn)定性
圖 1-2 聚對苯二甲酸乙二醇酯的分子結(jié)構(gòu)式裝膜的制備與改性技術(shù)膜的制備技術(shù)包裝膜具有多種制備技術(shù)方法,當前應用擠出法、多層復合法。物理方法在 PET 中混入一些阻隔性更好的而獲得綜合性能較好的聚合物材料,是開發(fā)操作、成本最低的一種制備方法。共混法經(jīng) 的共混。效果最好的是 PET 與 PEN 的共混容性好,能實現(xiàn)優(yōu)良的共混效果[36];旆ㄖ苽淞 PEN 含量分別為 10%、30%和 PEN 含量的增加,其熱穩(wěn)定性也隨之提高。 與 PEN 和 PET 與 OMMT 兩個體系分別進
設備清洗后的 PET 基底放入真空干燥箱中進行烘干處理PET 表面攜帶的水分和清洗劑對鍍膜過程產(chǎn)生影響,T 受到二次污染。真空烘干設備采用 ZKT-6050 型真空呈儀器制造責任有限公司。設備用于制備中間過渡層 MgO-PTFE 和 SiO2薄膜。本實驗高真空磁控濺射鍍膜機(圖 2-1 為鍍膜機外觀照片)技有限公司。。根據(jù)電源不同,該鍍膜設備分直流磁頻磁控濺射三種鍍膜方式。本實驗中,MgO-PTFE 中 PTFE 靶材、直流濺射 Mg 靶材反應生成 MgO 制備 SiO2靶制備 SiO2膜。 該設備的主要參數(shù)為:.0×10-5Pa,氣體流量 0~300mL/min,射頻功率范圍為 0圍為 0~2000W,中頻電源功率范圍為 0~2000W,靶基距為 70mm。
本文編號:3245794
【文章來源】:湖南工業(yè)大學湖南省
【文章頁數(shù)】:59 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
聚偏二氯乙烯的分子結(jié)構(gòu)式但是,由于聚偏二氯乙烯(PVDC)是一種高結(jié)晶度的聚合物,其熱穩(wěn)定性
圖 1-2 聚對苯二甲酸乙二醇酯的分子結(jié)構(gòu)式裝膜的制備與改性技術(shù)膜的制備技術(shù)包裝膜具有多種制備技術(shù)方法,當前應用擠出法、多層復合法。物理方法在 PET 中混入一些阻隔性更好的而獲得綜合性能較好的聚合物材料,是開發(fā)操作、成本最低的一種制備方法。共混法經(jīng) 的共混。效果最好的是 PET 與 PEN 的共混容性好,能實現(xiàn)優(yōu)良的共混效果[36];旆ㄖ苽淞 PEN 含量分別為 10%、30%和 PEN 含量的增加,其熱穩(wěn)定性也隨之提高。 與 PEN 和 PET 與 OMMT 兩個體系分別進
設備清洗后的 PET 基底放入真空干燥箱中進行烘干處理PET 表面攜帶的水分和清洗劑對鍍膜過程產(chǎn)生影響,T 受到二次污染。真空烘干設備采用 ZKT-6050 型真空呈儀器制造責任有限公司。設備用于制備中間過渡層 MgO-PTFE 和 SiO2薄膜。本實驗高真空磁控濺射鍍膜機(圖 2-1 為鍍膜機外觀照片)技有限公司。。根據(jù)電源不同,該鍍膜設備分直流磁頻磁控濺射三種鍍膜方式。本實驗中,MgO-PTFE 中 PTFE 靶材、直流濺射 Mg 靶材反應生成 MgO 制備 SiO2靶制備 SiO2膜。 該設備的主要參數(shù)為:.0×10-5Pa,氣體流量 0~300mL/min,射頻功率范圍為 0圍為 0~2000W,中頻電源功率范圍為 0~2000W,靶基距為 70mm。
本文編號:3245794
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