在當(dāng)今社會(huì)，高介電材料在微電子工業(yè)的應(yīng)用越來(lái)越廣，因此對(duì)介電材料的性能要求也越來(lái)越高。眾所周知，傳統(tǒng)的鐵電陶瓷/聚合物基復(fù)合材料因?yàn)樘盍虾窟^高，導(dǎo)致其機(jī)械性能較差，嚴(yán)重影響了該類材料在嵌入式電容器中的應(yīng)用。因此，制備出兼具優(yōu)良介電性能和機(jī)械性能的新型介電功能復(fù)合材料已成為工程電介質(zhì)材料研究領(lǐng)域亟待解決的關(guān)鍵問題之一。本文以具有高導(dǎo)電性的納米碳化鈦（TiC）粉體為填料，首先使用小分子有機(jī)物聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、油酸（OA）及硅烷偶聯(lián)劑（DB570）表面改性納米TiC粒子，再利用原位聚合法將表面改性后的納米TiC粒子添加到聚酰亞胺（PI）基體中，制備出一系列不同TiC含量的TiC/PI復(fù)合薄膜。采用掃描電子顯微鏡對(duì)TiC/PI復(fù)合薄膜的顯微結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析，并對(duì)TiC/PI復(fù)合薄膜的電性能以及力學(xué)性能進(jìn)行了測(cè)試。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，不同小分子有機(jī)物改性后的納米TiC粉體在PI基體中的分散性存在較大的差異。其中采用OA修飾后的TiC粉體在PI基體中分散得較為均勻，粒徑在100-200nm之間，優(yōu)于采用PVP及DB570改性后的TiC粉體。復(fù)合薄膜的介電性能分析顯示，經(jīng)過PVP修飾后的TiC粉體... 

【文章來(lái)源】：哈爾濱理工大學(xué)黑龍江省

【文章頁(yè)數(shù)】：54 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

DB570修飾前后的TiC粒子的掃描電鏡照片

- 15 -c) DB570 修飾 TiC 含量 5 vol.%復(fù)合薄膜 d) DB570 修飾 TiC 含量 20 vol.%復(fù)合薄膜圖 3-2 未經(jīng)修飾及 DB570 修飾的 TiC/PI 復(fù)合薄膜 SEM 照片F(xiàn)ig. 3-2 SEM images of unmodified and DB570-modified TiC/PI composite films由圖 3-2a) 可知，未經(jīng)修飾過的 TiC 粉體含量為 5vol.%時(shí)，TiC 粉體粒徑小，粒徑在 100-200 nm 之間，分散均勻，無(wú)團(tuán)聚現(xiàn)象出現(xiàn)。而且 TiC 粉體 PI 基體有著較好的相容性。隨著 TiC 粉體體積含量的增大，未經(jīng)修飾過的iC 粉體含量為 20 vol.%時(shí)，粒徑保持在納米級(jí)別，且粒徑均勻，無(wú)明顯團(tuán)聚象發(fā)生。分析認(rèn)為這是由于 TiC 粒子之間相互作用力較小。如圖 3-2c) 所，當(dāng)經(jīng) DB570 修飾過的 TiC 含量為 5 vol.%時(shí)，粉體粒徑在 300-400 nm 之，分散較為均勻，無(wú)明顯團(tuán)聚現(xiàn)象發(fā)生，且與 PI 基體相容性較好。見圖 3-d)，經(jīng) DB570 修飾過的 TiC 粉體含量為 20 vol.%時(shí)，TiC 粒子出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)。這可能是因?yàn)?DB570 部分轉(zhuǎn)化為硅醇，導(dǎo)致粒子間作用力增大，出現(xiàn)團(tuán)。

第4章 OA 修飾的納米 TiC/PI 復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)與性能分析4.1 掃描電鏡（SEM）分析4.1.1 OA 修飾的 TiC 顆粒的掃描電鏡分析本測(cè)試采用 FEI Sirion200 型掃描電子顯微鏡，對(duì)未經(jīng)過修飾的 TiC 粒子和經(jīng)過 OA 修飾過的 TiC 粒子的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了觀察。如圖 4-1 是未經(jīng)修飾的TiC 粒子和經(jīng) OA 修飾的 TiC 粒子的掃描電鏡圖像。b)a)

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號(hào)：3126011