近年來,基于新型二維材料的電子/光電子器件,在量子信息、航空航天、環(huán)境監(jiān)測、高性能硬件領(lǐng)域展現(xiàn)了巨大的潛力。而如何利用常規(guī)方法直接生長出的大面積、均勻的二維材料薄膜在實際應(yīng)用中至關(guān)重要。在本論文中,我們探究了利用激光脈沖沉積法（PLD）制備大面積、均勻且層數(shù)可控的MoS2薄膜,并研究了基于多層MoS2薄膜基場效應(yīng)晶體管的輸運特性和MoS2薄膜基光電探測器的層數(shù)依賴特性。結(jié)果表明利用激光脈沖沉積法生長的二維材料薄膜有潛力應(yīng)用到未來的工業(yè)器件中。本論文研究了利用激光脈沖沉積法采用控制脈沖數(shù)量的方式生長大面積的均勻MoS2薄膜,進(jìn)而探究由多層MoS2薄膜制備的場效應(yīng)晶體管和不同厚度的MoS2薄膜制備的光電探測器性能。主要結(jié)果如下:1、拉曼光譜和透射電子顯微鏡結(jié)果表明生長在SiO2/Si襯底上的MoS2薄膜是層數(shù)可控的,基于多層MoS2薄膜的場效應(yīng)晶體管器件展現(xiàn)了較高的開關(guān)比（500）和較高的載流子遷移率（0.124 cm2V-1S-1）。2、黑暗條件下的輸出特性表明在金與MoS2薄膜接觸面存在肖特基結(jié)。制備的金屬-半導(dǎo)體-金屬形式的MoS2薄膜基光電探測器展現(xiàn)了從紫外到紅外范圍內(nèi)的寬譜響應(yīng)。... 

【文章來源】：北京郵電大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：53 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖２－１激光脈沖沉積法生長原理及設(shè)備實體圖??

可理解為電子與氬原子碰撞使其電離為離子形態(tài)，氬離子在電場的作用下加速轟??擊材料靶材，使材料漉射出來沉積到襯底表面形成薄膜。??實驗中我們采用的是ＪＧＰ－４０５ａ雙室磁控濺射沉積系統(tǒng)，如圖２－２所示：??圖２－２磁控濺射系統(tǒng)設(shè)備圖??２．３薄膜的表征技術(shù)手段??１３??

這些球面波會相互作用而疊加，可理解為相干散射或相干衍射。由于衍射??花樣可以反映晶體內(nèi)原子的分布規(guī)律，所以不同的晶體所產(chǎn)生的衍射花樣不同，??但都是以布拉格定律為基礎(chǔ)的，Ｘ射線衍射原理可見圖２－４。如圖所示，Ｘ射線??１４??


本文編號：3073872