微通道板（Microchannel Plate,MCP）是一種具有高長徑比結(jié)構(gòu)的二維真空電子倍增器件。在微光夜視儀、圖像光子計(jì)數(shù)器、光電倍增管、電子顯微鏡、飛行時(shí)間質(zhì)譜儀和中子探測器等領(lǐng)域具有非常廣泛的應(yīng)用。傳統(tǒng)MCP性能受到其制備工藝的限制,打拿極導(dǎo)電層電阻特性和發(fā)射層二次電子發(fā)射特性受到微通道列陣基體材料的限制,且通過氫還原處理形成打拿極的工藝所帶來的正離子反饋效應(yīng)也會影響其性能。采用低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）技術(shù)和熱敏化技術(shù)制備的先進(jìn)技術(shù)微通道板（AT-MCP）薄膜打拿極,在成膜質(zhì)量、厚度控制和高長徑比基體保形性涂覆能力方面也有一定的缺陷。而采用原子層沉積技術(shù)（ALD）制備的薄膜打拿極在這些方面都比傳統(tǒng)MCP拿極技術(shù)和AT-MCP薄膜打拿極技術(shù)更加具有優(yōu)勢。且利用ALD技術(shù)的低溫生長特性,還可以使塑料MCP薄膜打拿極的制備成為可能。因此,利用ALD技術(shù)將能夠?yàn)楦咝阅躆CP的研制提供一條新的有力途徑。本文選取了ZnO與Al2O3復(fù)合（AZO）薄膜和SiO₂薄膜分別作為MCP薄膜打拿極導(dǎo)電層薄膜和發(fā)射層薄膜材料。采用ALD技術(shù)在平面襯底上制備AZO薄膜和Si... 

【文章來源】：長春理工大學(xué)吉林省

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 研究背景及意義
        1.1.1 傳統(tǒng)微通道板的缺點(diǎn)
        1.1.2 薄膜打拿極技術(shù)的提出
        1.1.3 ALD-MCP的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
    1.2 微通道板的概述
        1.2.1 微通道板的結(jié)構(gòu)及基本工作原理
        1.2.2 玻璃微通道板的類型
        1.2.3 微通道板的應(yīng)用
    1.3 AT-MCP薄膜打拿極技術(shù)
    1.4 原子層沉積技術(shù)
        1.4.1 原子層沉積技術(shù)原理
        1.4.2 原子層沉積技術(shù)的特點(diǎn)及優(yōu)勢
    1.5 本論文的主要研究內(nèi)容
第二章 微通道板薄膜打拿極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
    2.1 微通道板的增益特性及二次電子發(fā)射基本原理
        2.1.1 微通道板增益特性分析
        2.1.2 二次電子發(fā)射基本原理
    2.2 薄膜打拿極導(dǎo)電層的設(shè)計(jì)
        2.2.1 微通道板體電阻分析
        2.2.2 導(dǎo)電層電阻的計(jì)算
        2.2.3 導(dǎo)電層薄膜材料的選擇
        2.2.4 ALD-AZO薄膜厚度及ZnO循環(huán)百分比的計(jì)算
    2.3 薄膜打拿極發(fā)射層的設(shè)計(jì)
        2.3.1 發(fā)射層薄膜材料的選取
2發(fā)射層薄膜厚度的設(shè)計(jì)">        2.3.2 SiO₂發(fā)射層薄膜厚度的設(shè)計(jì)
第三章 微通道板薄膜打拿極制備實(shí)驗(yàn)及性能測試
    3.1 ALD-AZO導(dǎo)電層薄膜的制備實(shí)驗(yàn)
        3.1.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備及實(shí)驗(yàn)材料
        3.1.2 制備ALD-AZO薄膜的實(shí)驗(yàn)步驟
2發(fā)射層薄膜的制備實(shí)驗(yàn)">    3.2 ALD-SiO₂發(fā)射層薄膜的制備實(shí)驗(yàn)
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備及實(shí)驗(yàn)材料
2薄膜的實(shí)驗(yàn)步驟">        3.2.2 制備ALD-SiO₂薄膜的實(shí)驗(yàn)步驟
    3.3 薄膜打拿極薄膜性能測試
        3.3.1 ALD-AZO導(dǎo)電層薄膜方塊電阻測試
        3.3.2 ALD-AZO薄膜微觀形貌及組分測試
2發(fā)射層薄膜二次電子發(fā)射系數(shù)測試">        3.3.3 ALD-SiO₂發(fā)射層薄膜二次電子發(fā)射系數(shù)測試
2薄膜二次電子發(fā)射特性研究">第四章 AZO薄膜性能及SiO₂薄膜二次電子發(fā)射特性研究
    4.1 ALD-AZO薄膜理想Zn含量計(jì)算公式的修正
    4.2 ALD-AZO薄膜結(jié)構(gòu)及組分分析
        4.2.1 ALD-AZO薄膜微觀形貌分析
        4.2.2 ALD-AZO薄膜結(jié)構(gòu)分析
        4.2.3 ALD-AZO薄膜組分分析
    4.3 ALD-AZO薄膜電阻特性研究
        4.3.1 沉積溫度對ALD-AZO薄膜電阻的影響
        4.3.2 ZnO循環(huán)百分比對ALD-AZO薄膜電阻的影響
        4.3.3 薄膜結(jié)構(gòu)對ALD-AZO薄膜電阻的影響
2薄膜二次電子發(fā)射特性研究">    4.4 ALD-SiO₂薄膜二次電子發(fā)射特性研究
2薄膜二次電子發(fā)射系數(shù)的影響">        4.4.1 薄膜厚度對ALD-SiO₂薄膜二次電子發(fā)射系數(shù)的影響
2薄膜二次電子發(fā)射系數(shù)的影響">        4.4.2 樣品偏壓對ALD-SiO₂薄膜二次電子發(fā)射系數(shù)的影響
結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
發(fā)表論文和科研情況說明


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3038819