采用射頻磁控反應濺射在金剛石/Si襯底上制備不同Sc含量的Sc_xAl_1-xN薄膜,并研究了Sc摻雜對薄膜沉積速率、表面粗糙度、晶體取向及壓電性能的影響。結果表明,薄膜沉積速率隨Sc靶功率的增加近似呈線性增長;合適的Sc摻雜能降低Sc_xAl_1-xN薄膜的表面粗糙度,提高AlN的C軸擇優(yōu)取向程度,并增強薄膜的壓電性能;在0³4%范圍內Sc的最優(yōu)摻雜量為19%,此時薄膜整體質量最高,其表面粗糙度為2.95 nm,AlN（002）取向搖擺曲線半高寬為2.8°,壓電常數為11.6 pm/V。 

【文章來源】：材料熱處理學報. 2016,37(S1)北大核心

【文章頁數】：5 頁

【文章目錄】：
1 實驗材料與方法
2 結果與分析
    2.1 Sc摻雜對薄膜沉積速率的影響
    2.2 Sc摻雜對薄膜表面粗糙度的影響
    2.3 Sc摻雜對Al N晶體取向的影響
    2.4 Sc摻雜對薄膜壓電性能的影響
3 結論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]用于FBAR的C軸取向AlN壓電薄膜的研制[J]. 胡作啟,王宇輝,謝子健,趙旭.  華中科技大學學報(自然科學版). 2012(01)

碩士論文
[1]高頻大功率聲表面波器件的AIN/金剛石多層膜制備及性能研究[D]. 楊世興.天津理工大學 2009



本文編號：3021890