采用射頻磁控反應(yīng)濺射在金剛石/Si襯底上制備不同Sc含量的Sc_xAl_1-xN薄膜,并研究了Sc摻雜對薄膜沉積速率、表面粗糙度、晶體取向及壓電性能的影響。結(jié)果表明,薄膜沉積速率隨Sc靶功率的增加近似呈線性增長;合適的Sc摻雜能降低Sc_xAl_1-xN薄膜的表面粗糙度,提高AlN的C軸擇優(yōu)取向程度,并增強(qiáng)薄膜的壓電性能;在0³4%范圍內(nèi)Sc的最優(yōu)摻雜量為19%,此時(shí)薄膜整體質(zhì)量最高,其表面粗糙度為2.95 nm,AlN（002）取向搖擺曲線半高寬為2.8°,壓電常數(shù)為11.6 pm/V。 

【文章來源】：材料熱處理學(xué)報(bào). 2016,37(S1)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)材料與方法
2 結(jié)果與分析
    2.1 Sc摻雜對薄膜沉積速率的影響
    2.2 Sc摻雜對薄膜表面粗糙度的影響
    2.3 Sc摻雜對Al N晶體取向的影響
    2.4 Sc摻雜對薄膜壓電性能的影響
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]用于FBAR的C軸取向AlN壓電薄膜的研制[J]. 胡作啟,王宇輝,謝子健,趙旭.  華中科技大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2012(01)

碩士論文
[1]高頻大功率聲表面波器件的AIN/金剛石多層膜制備及性能研究[D]. 楊世興.天津理工大學(xué) 2009



本文編號：3021890