硅襯底上鐵酸鉍薄膜的生長與表征
發(fā)布時(shí)間:2021-01-30 19:09
多鐵性作為材料的一種功能特性,在新型數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、能源轉(zhuǎn)換、光電傳感等方面有著極大的潛在應(yīng)用價(jià)值。目前,研究最廣泛的多鐵性材料屬于復(fù)雜過渡金屬氧化物,這些復(fù)雜氧化物中存在的晶格、電荷、軌道、自旋等多種自由度相互作用,是研究新一代低功耗、綠色環(huán)保的多功能光電器件的關(guān)鍵。鐵酸鉍(BiFeO3)是一種少見的室溫下具有鐵電和反鐵磁性的多鐵性材料,一直是鐵電和多鐵領(lǐng)域研究的熱門材料?蒲泄ぷ髡邆円呀(jīng)在BiFeO3中發(fā)現(xiàn)包括體光伏效應(yīng)和可翻轉(zhuǎn)二極管效應(yīng)在內(nèi)的許多有應(yīng)用前景的新奇功能特性。隨著薄膜生長技術(shù)的發(fā)展,利用激光分子束外延實(shí)現(xiàn)原子尺度上控制氧化物薄膜的生長已成為可能,從而大幅提升了氧化物薄膜、異質(zhì)結(jié)及超晶格結(jié)構(gòu)的質(zhì)量。在硅(Si)襯底上生長BiFeO3薄膜,將半導(dǎo)體與鐵電氧化物結(jié)合起來,可以用來設(shè)計(jì)用于信息存儲(chǔ)和傳感的新型器件。因此,在Si襯底上生長高質(zhì)量的BiFeO3薄膜對(duì)設(shè)計(jì)和開發(fā)新型多功能氧化物器件有著重要的作用。但是,由于晶格失配度和界面互擴(kuò)散等因素的影響,很難直接在Si襯底上生長出具有鐵電性的單相B...
【文章來源】:中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院物理研究所)北京市
【文章頁數(shù)】:59 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
(a)BiFeO3晶體結(jié)構(gòu)
中Fe3+處于高度自旋狀態(tài),如圖1.2(a)所示,形成G型反鐵磁結(jié)構(gòu),即近鄰磁矩呈現(xiàn)反平行排列。此外,一般完美的G型反鐵磁結(jié)構(gòu)不會(huì)出現(xiàn)任何非零的凈磁矩,而研究表明BFO結(jié)構(gòu)中相鄰兩個(gè)(111)平面中的Fe3+自旋有一個(gè)小的傾斜,這個(gè)自旋傾斜積累的結(jié)果導(dǎo)致存在一個(gè)疊加于反鐵磁結(jié)構(gòu)上的空間長度約62—64 nm的螺旋調(diào)制,從而出現(xiàn)了凈磁化強(qiáng)度。[1]在BFO薄膜中,這種空間螺旋調(diào)制結(jié)構(gòu)受到限制
(a)180°極化翻轉(zhuǎn);(b)109°極化翻轉(zhuǎn);(c)71°極化翻轉(zhuǎn)
本文編號(hào):3009431
【文章來源】:中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院物理研究所)北京市
【文章頁數(shù)】:59 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
(a)BiFeO3晶體結(jié)構(gòu)
中Fe3+處于高度自旋狀態(tài),如圖1.2(a)所示,形成G型反鐵磁結(jié)構(gòu),即近鄰磁矩呈現(xiàn)反平行排列。此外,一般完美的G型反鐵磁結(jié)構(gòu)不會(huì)出現(xiàn)任何非零的凈磁矩,而研究表明BFO結(jié)構(gòu)中相鄰兩個(gè)(111)平面中的Fe3+自旋有一個(gè)小的傾斜,這個(gè)自旋傾斜積累的結(jié)果導(dǎo)致存在一個(gè)疊加于反鐵磁結(jié)構(gòu)上的空間長度約62—64 nm的螺旋調(diào)制,從而出現(xiàn)了凈磁化強(qiáng)度。[1]在BFO薄膜中,這種空間螺旋調(diào)制結(jié)構(gòu)受到限制
(a)180°極化翻轉(zhuǎn);(b)109°極化翻轉(zhuǎn);(c)71°極化翻轉(zhuǎn)
本文編號(hào):3009431
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